[发明专利]天线组件及终端设备在审
申请号: | 201711025769.9 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN108288755A | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 朱德进;陈卷平;刘华涛 | 申请(专利权)人: | 珠海市魅族科技有限公司 |
主分类号: | H01Q1/36 | 分类号: | H01Q1/36;H01Q1/50 |
代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 尚志峰;汪海屏 |
地址: | 519085 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 辐射体 近场 近场通讯芯片 通路信号线 接地结构 终端设备 近场通讯天线 天线组件 通讯功能 通讯信号 并联 围合 读写性能 回路传送 通讯传输 输出端 输入端 辐射 | ||
本发明提供的天线组件及终端设备,包括接地结构、近场通讯芯片、第一辐射体和第二辐射体,近场通讯芯片的输入端与接地结构相连接,近场通讯芯片的输出端分为并联的第一通路信号线和第二通路信号线,当近场通讯芯片在进行工作时,第一通路信号线、第一辐射体、接地结构围合形成的第一回路以及第二通路信号线、第二辐射体、接地结构围合形成的第二回路传送近场通讯信号,接入并联的两个回路中的第一辐射体和第二辐射体的部分均作为近场通讯天线使用,近场通讯天线变长,辐射范围更广,提高了近场通讯信号的读写性能,提升了终端设备的近场通讯传输效果;两个回路中只要一个回路能够正常工作就能实现近场通讯功能,提高了近场通讯功能的可靠性。
技术领域
本发明涉及通信技术领域,更具体而言,涉及一种天线组件及一种终端设备。
背景技术
目前,在终端设备上通过NFC(近距离无线通信技术)以实现近场通讯成为越来越多的用户在选择终端设备时的需求,而在已经具有LTE(长期演进)),WIFI(无线保真)、GPS(全球定位系统)、蓝牙等通信系统的终端设备后,再设置NFC会具有两种常见的设置方式:一、上金属条通过导通点分成两部分,将NFC天线与LTE上天线共用上金属条中较长的部分,而GPS/WIFI天线则使用上金属条中较长的部分,但是这样会存在NFC天线辐射体较短,电感量小,读写卡性能较差;二、上金属条不接地,两端分别接入NFC的差分馈入端,整个金属条作为NFC的辐射体天线,这样设置NFC天线增大,但是GPS/WIFI天线与LTE上天线之间隔离度较差,影响GPS/WIFI天线与LTE上天线性能。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
为此,本发明的一个方面在于,提供了一种天线组件。
本发明的另一个方面在于,提供了一种终端设备。
有鉴于此,根据本发明的实施例提供了一种天线组件,用于终端设备,天线组件包括:接地结构;近场通讯芯片,近场通讯芯片的输入端与接地结构相连接,近场通讯芯片的输出端分为并联的第一通路信号线和第二通路信号线;第一辐射体,与接地结构的第一端连接,第一通路信号线与第一辐射体相连接;第二辐射体,与接地结构的第二端连接,第二通路信号线与第二辐射体相连接。
本发明提供的天线组件包括接地结构、近场通讯芯片、第一辐射体和第二辐射体,近场通讯芯片的输入端与接地结构相连接,近场通讯芯片的输出端分为并联的第一通路信号线和第二通路信号线:其中,第一通路信号线与第一辐射体相连接,接地结构的第一端与第一辐射体相连接,从而当近场通讯芯片在进行工作时,第一通路信号线、第一辐射体、接地结构围合形成的第一回路进行近场通讯信号的传送;第二通路信号线与第二辐射体相连接,接地结构的第二端与第二辐射体相连接,从而当近场通讯芯片在进行工作时,第二通路信号线、第二辐射体、接地结构围合形成的第二回路进行近场通讯信号的传送。此时,第一回路与第二回路之间并联即能够独立工作,这样相对于相关技术来说,一方面当上述两个回路共同工作时,第一辐射体接入第一回路中的部分和第二辐射体接入第二回路中的部分均作为近场通讯天线进行使用,近场通讯天线的接入部分明显变长,增大了辐射面积和电感量,使得辐射范围更广,另一方面当其中一个回路不能正常工作时,另一个回路仍然可以保证近场通讯传输功能的正常使用,从而有效地提高了近场通讯信号的读写性能,提升了终端设备的近场通讯传输效果,提高了终端设备的近场通讯功能的可靠性,进而提升了产品的市场竞争力。
同时,由于本申请中近场通讯天线的辐射范围和发射性能大幅提高,有利于使用全金属后盖,提高终端设备后盖的金属质感进而提高了终端设备外形的美观度,此外,在第一辐射体和第二辐射体均作为近场通讯天线进行使用时,近场通信天线的接入长度足够长,因此可在第一辐射体和第二辐射体上设置隔离点将第一辐射体和/或第二辐射体上的各频段使用的天线进行隔离,提升各个功能之间的隔离度,保证各个功能的天线。可以想到的,近场通讯芯片可以为NFC芯片、无线充电芯片等近场通讯芯片。
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