[发明专利]具有温度测量功能的霍尔传感器装置以及电流传感器装置

说明书

提供一种具有温度测量功能的霍尔传感器装置以及一种具有相同功能的电流传感器装置，并且用于测量霍尔传感器的温度的温度测量功能可在霍尔传感器上实现，而不是在作为用于驱动霍尔传感器或电流传感器的专用集成电路(ASIC)上实现，并且ASIC可安装成远离霍尔传感器，并且因此可防止ASIC的温度上升，从而允许霍尔传感器或电流传感器的稳定测量及其稳定驱动控制。

相关申请的交叉引用

该申请要求来自在韩国知识产权局在2017年10月12日提交的专利申请号为10-2017-0132854的韩国专利申请和在2017年10月12日提交的专利申请号为10-2017-0132855的韩国专利申请的优先权，其全部公开内容通过引用而引入本文中。

技术领域

以下描述涉及一种被配置为输出归因于霍尔效应的霍尔电压的霍尔传感器以及使用所述霍尔传感器的电流传感器装置。

该研究(10063287)由韩国贸易产业能源局(MOTIE)和韩国产业技术评估局(KEIT)支持。

背景技术

霍尔传感器是使用霍尔效应的磁电换能器。作为霍尔传感器的输出电压的霍尔电压V_H由以下公式表示。

在此，R_H是霍尔系数，d是用作霍尔传感器的霍尔设备的半导体材料的厚度，I_c是作为霍尔传感器驱动电流的霍尔传感器输入电流，并且B是磁通量密度。

从该公式可见，作为霍尔传感器的输出电压的霍尔电压V_H与霍尔系数R_H、霍尔传感器驱动电流I_c以及磁通量密度B成正比，并且与用作霍尔传感器的霍尔设备的半导体材料的厚度d成反比。

同时，由于霍尔传感器驱动电流I_c与霍尔传感器驱动电压成正比并且与霍尔传感器的输入端子的电阻成反比，并且电阻根据温度而变化，因此作为霍尔传感器的输出电压的霍尔电压V_H根据温度而变化。

这是因为，当瑕疵出现在结晶结构中时，也就是说，阻碍电子的流动性的杂质包含在晶体中时，产生电阻，电子在晶体中的流动随着温度升高而变得更活跃，并且瑕疵的数量增加，从而电阻增加。

相应地，需要根据温度来适当地补偿并且正常化霍尔传感器输出电压，从而解决作为霍尔传感器的输出电压的霍尔电压根据温度而变化的问题。作为用于根据温度来适当地补偿并且正常化霍尔传感器输出电压的技术，在公开号为10-2011-0114976(2011年10月20日)的韩国专利申请中提出一种用于霍尔传感器的温度补偿装置。

该技术通过将根据温度的补偿电压与将驱动电流提供给霍尔传感器的静态电压源的输出电压相加来补偿温度依赖性霍尔传感器输出电压，从而补偿温度依赖性霍尔传感器输出电压。应首先测量霍尔传感器的温度，以补偿温度依赖性霍尔传感器输出电压。

然而，在现有技术中，由于用于测量霍尔传感器的温度的温度传感器贴装在作为用于驱动霍尔传感器的控制器的专用集成电路(ASIC)内部并且霍尔传感器应安装成靠近ASIC，因此存在ASIC的温度的上升的问题。

[现有技术文献]

[专利文献]

公开号为10-2011-0114976(2011年10月20日)的韩国专利申请

发明内容

提供本发明内容以通过简化形式介绍以下在具体实施方式中进一步描述的概念的选择。本发明内容不意图标识所要求的主题内容的关键特征或必要特征，也非旨在用作有助于确定所要求的主题内容的范围。