[发明专利]一种制备石墨烯导电薄膜的方法在审
申请号: | 201711026160.3 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN107887075A | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 王红丽 | 申请(专利权)人: | 成都天航智虹知识产权运营管理有限公司 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B1/04 |
代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙)51211 | 代理人: | 史姣姣 |
地址: | 610094 四川省成都市自由贸易试验区*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制备 石墨 导电 薄膜 方法 | ||
1.一种制备石墨烯导电薄膜的方法,其特征在于:包括以下步骤:
A.涂覆溶液制备
将5~10份石墨烯薄片、5~10份氧化石墨烯薄片、30~40份苯丙乳液、10~15份纳米银粉末、55~65份水置于离心试管中,超声振荡25~30min后备用;
B.涂覆、干燥
将步骤A制得的涂覆溶液,在洁净、干燥的玻璃板上涂覆,涂覆厚度为110~250μm,涂覆后热风干燥后即可。
2.如权利要求1所述的一种制备石墨烯导电薄膜的方法,其特征在于:所述苯丙乳液为半连续乳液聚合工艺制备的纳米乳胶粒子,其粒径为40~80nm。
3.如权利要求1所述的一种制备石墨烯导电薄膜的方法,其特征在于:步骤B中,所述热风干燥的条件为100~120℃下干燥35~50min。
4.如权利要求1~3任一项所述的一种石墨烯导电薄膜的制备方法,其特征在于:所述石墨烯导电薄膜的透光率为80~83%。
5.如权利要求1~3任一项所述的一种石墨烯导电薄膜的制备方法,其特征在于:所述石墨烯导电薄膜的电阻为1.0~1.2MΩ/sq。
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