[发明专利]阵列基板及显示装置在审
申请号: | 201711026720.5 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN107910333A | 公开(公告)日: | 2018-04-13 |
发明(设计)人: | 谢炎;林建宏 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙)44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
有机电致发光显示器(OLED)具有自发光、低耗电、反应速度快等优点,被广泛应用于显示技术领域。其中,以柔性材料作为基板的柔性OLED(Flexible OLED,FOLED)由于其具有一定形变承受力,可以卷起、折叠的特点,被广泛应用在手机、电视机显示屏中。
OLED既可以沿数据线方向折叠,也可以沿扫描线方向折叠。由于扫描线的材质为Mo金属,其延展性能较差,容易造成断线。
如果直接将扫描线的材质换成Mo/Al/Mo,在进行ILD活化氢化时,会有400摄氏度制程,Mo/Al/Mo材质的扫描线将无法耐受400摄氏度制程。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板及显示装置,提高了显示装置在扫描线方向上的耐弯折性能。
本发明实施例提供了一种阵列基板,包括:
一基底;
设置在所述基底上的第一栅极绝缘层;
设置在所述第一栅极绝缘层上的第一栅极金属层,所述第一栅极金属层包括扫描线;
设置在所述第一栅极金属层上的第二栅极绝缘层,所述第二栅极绝缘层覆盖所述第一栅极绝缘层,所述第二栅极绝缘层具有第一通孔;
设置在所述第二栅极绝缘层上的第二栅极金属层;
设置在所述第二栅极金属层上的层间介质层,所述层间介质层覆盖所述第二栅极绝缘层,所述层间介质层具有第二通孔;
设置在所述层间介质层上的源漏走线层,所述源漏走线层包括源漏走线,所述源漏走线通过所述第一通孔、所述第二通孔与所述扫描线连接。
在一些实施例中,所述源漏走线层具有通孔,所述阵列基板还包括有机平坦层和阳极走线层,所述有机平坦层具有第三通孔,所述阳极走线层包括阳极走线;
所述有机平坦层设置在所述源漏走线层上;
所述阳极走线层设置在所述有机平坦层上,所述阳极走线层的所述阳极走线通过所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔和所述通孔与所述扫描线连接。
在一些实施例中,所述层间介质层包括无机绝缘子层和有机填充子层;
所述无机绝缘子层设置在所述第二栅极金属层上,所述无机绝缘子层覆盖所述第二栅极绝缘层;
所述有机填充子层设置在所述无机绝缘子层上。
在一些实施例中,所述阵列基板上设有凹槽;
所述凹槽从所述无机绝缘子层延伸至所述基底,所述凹槽内填充有机物,形成所述有机填充子层。
在一些实施例中,所述无机绝缘子层和所述有机绝缘子层采用同一道光罩制成或分别采用一道光罩制成。
本发明实施例还提供了一种显示装置,所述显示装置包括阵列基板;
所述阵列基板包括一基底;
设置在所述基底上的第一栅极绝缘层;
设置在所述第一栅极绝缘层上的第一栅极金属层,所述第一栅极金属层包括扫描线;
设置在所述第一栅极金属层上的第二栅极绝缘层,所述第二栅极绝缘层覆盖所述第一栅极绝缘层,所述第二栅极绝缘层具有第一通孔;
设置在所述第二栅极绝缘层上的第二栅极金属层;
设置在所述第二栅极金属层上的层间介质层,所述层间介质层覆盖所述第二栅极绝缘层,所述层间介质层具有第二通孔;
设置在所述层间介质层上的源漏走线层,所述源漏走线层包括源漏走线,所述源漏走线通过所述第一通孔、所述第二通孔与所述扫描线连接。
在一些实施例中,所述源漏走线层具有通孔,所述阵列基板还包括有机平坦层和阳极走线层,所述有机平坦层具有第三通孔,所述阳极走线层包括阳极走线;
所述有机平坦层设置在所述源漏走线层上;
所述阳极走线层设置在所述有机平坦层上,所述阳极走线层的所述阳极走线通过所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔和所述通孔与所述扫描线连接。
在一些实施例中,所述层间介质层包括无机绝缘子层和有机填充子层;
所述无机绝缘子层设置在所述第二栅极金属层上,所述无机绝缘子层覆盖所述第二栅极绝缘层;
所述有机填充子层设置在所述无机绝缘子层上。
在一些实施例中,所述阵列基板上设有凹槽;
所述凹槽从所述无机绝缘子层延伸至所述基底,所述凹槽内填充有机物,形成所述有机填充子层。
在一些实施例中,所述无机绝缘子层和所述有机绝缘子层采用同一道光罩制成或分别采用一道光罩制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的