[发明专利]一种LED芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种LED芯片电极结构，其特征在于，包括：

衬底；

外延层，设置在所述的衬底上；

透明导电层，设置在所述外延层上；

电流阻挡层，设置在所述透明导电层上；

电极，设置在所述电流阻挡层上，且，所述电极在所述衬底上的投影面积大于所述电流阻挡层在所述衬底上的投影面积。

2.根据权利要求1所述的一种LED芯片电极结构，其特征在于：

所述电极至少包括Cr、Ni、Al、Ti、Pt、Au、Cu、Pb、Pd以及Fe中的一种或多种金属叠层。

3.根据权利要求1所述的一种LED芯片电极结构，其特征在于：

所述电流阻挡层至少包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铪、氟化镁、氧化钛的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的一种LED芯片电极结构，其特征在于：

所述外延层包括但不限于N型氮化镓层、有源层以及P型氮化镓层。

5.根据权利要求1所述的一种LED芯片电极结构，其特征在于：

所述透明导电层沿第一方向上的厚度为300-3000埃。

6.根据权利要求5所述的一种LED芯片电极结构，其特征在于：

所述电流阻挡层沿所述第一方向上的厚度为100-5000埃。

7.根据权利要求1所述的一种LED芯片电极结构，其特征在于：

沿第二方向，所述电极的宽度大于所述电流阻挡层的宽度1-10微米。

8.根据权利要求1所述的一种LED芯片电极结构，其特征在于：

所述外延层的表面刻蚀有预设图形，所述图形的台阶深度为0.5-3微米。

9.一种LED芯片电极结构的制造方法，其特征在于，包括:

提供一衬底；

在所述衬底表面生长外延层；

对所述外延层进行蚀刻，露出部分N型氮化镓层；

在所述的外延层表面制作透明导电层图形；

在所述透明导电层表面制作电流阻挡层图形；

在所述电流阻挡层上方形成P电极，在裸露的N型氮化镓层上形成N电极。

10.根据权利要求9所述的一种LED芯片电极结构的制造方法，其特征在于：

采用溅镀工艺形成所述P电极或所述N电极的底层金属。