[发明专利]一种紫外LED及其制作方法

权利要求书

1.一种紫外LED的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底表面形成缓冲层；

在所述缓冲层表面形成n型电子注入层；

在所述n型电子注入层表面形成多量子阱有源层；

在所述多量子阱有源层表面形成电子阻挡层；

在所述电子阻挡层表面形成p型空穴注入层；所述p型空穴注入层包括多个在第一方向上层叠设置的超晶格层周期单元；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述p型空穴注入层；

其中，所述超晶格层周期单元包括：一层氮化铝层，至少一层氮化镁层以及至少一层氮化镓层，所述氮化镁层以及所述氮化镓层均位于所述氮化铝层背离所述衬底的一侧，所述氮化镁层在所述第一方向上相对的两个表面中至少一个表面与一层所述氮化镓层相邻；所述超晶格层周期单元具有至少两层氮化镓层和/或至少两层氮化镁层，所述氮化镓层和所述氮化镁层在所述第一方向上交替排布。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在反应室内通过外延生长工艺逐一生成所述p型空穴注入层的各个所述超晶格层周期单元；

在生长所述p型空穴注入层的整个工艺阶段中，持续为所述反应室内通入流量恒定的Mg源；保持生长氮化镓层时V/Ⅲ参数高于生长氮化铝层时的V/Ⅲ参数。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在生长所述p型空穴注入层的整个工艺阶段中，维持反应室内压强恒定和温度恒定；

其中，所述压强范围是50mbar-500mbar，包括端点值；所述温度范围是900℃-1100℃，包括端点值。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在生长所述p型空穴注入层的整个工艺阶段中，形成的所述氮化铝层的厚度大于所述氮化镓层的厚度；

所述氮化铝层的生长时间为1s-50s，包括端点值；

所述氮化镓层的生长时间为1s-50s，包括端点值；

以氮气作为主载环境气体。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述氮化铝层的厚度范围包括端点值，所述氮化镓层的厚度范围是包括端点值。

6.一种紫外LED，其特征在于，所述紫外LED包括：

衬底；

位于所述衬底表面的缓冲层；

位于所述缓冲层表面的n型电子注入层；

位于所述n型电子注入层表面的多量子阱有源层；

位于所述多量子阱层表面的电子阻挡层；

位于所述电子阻挡层表面的p型空穴注入层；所述p型空穴注入层包括多个在第一方向上层叠设置的超晶格层周期单元；所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述p型空穴注入层；

其中，所述超晶格层周期单元包括：一层氮化铝层，至少一层氮化镁层以及至少一层氮化镓层，所述氮化镁层以及所述氮化镓层均位于所述氮化铝层背离所述衬底的一侧，所述氮化镁层在所述第一方向上相对的两个表面中至少一个表面与一层所述氮化镓层相邻；所述超晶格层周期单元具有至少两层氮化镓层和/或至少两层氮化镁层，所述氮化镓层和所述氮化镁层在所述第一方向上交替排布。

7.根据权利要求6所述的紫外LED，其特征在于，所述超晶格层周期单元具有一层氮化镁层以及两层氮化镓层，所述超晶格层周期单元中，所述氮化镁位于两层所述氮化镓层之间。

8.根据权利要求6所述的紫外LED，其特征在于，所述超晶格层周期单元具有两层氮化镁层以及一层氮化镓层，所述超晶格层周期单元中，所述氮化镓层位于两层所述氮化镁层之间。

9.根据权利要求6所述的紫外LED，其特征在于，所述超晶格层周期单元中，所述氮化铝层的厚度大于所述氮化镓层的厚度。

10.根据权利要求9所述的紫外LED，其特征在于，所述超晶格层周期单元中，所述氮化铝层的厚度范围是包括端点值，所述氮化镓层的厚度范围是包括端点值。