[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：设置于衬底基板上的栅极、第一有源层、第二有源层、第一源极、第一漏极、第二源极和第二漏极，所述第一有源层位于所述栅极朝向所述衬底基板的一侧，所述第二有源层位于所述栅极背向所述第一有源层的一侧，所述第一源极与所述第一漏极位于所述第一有源层背向所述栅极的一侧且均与所述第一有源层连接，所述第二源极与所述第二漏极位于所述第二有源层背向所述栅极的一侧且均与所述第二有源层连接；

所述第一漏极和所述第二漏极的平行于所述衬底基板的截面形状均为环形，所述第一漏极环绕所述第一源极，所述第二漏极环绕所述第二源极；

所述第一源极与所述第二源极电连接，所述第一漏极与所述第二漏极电连接；

薄膜晶体管还包括：第三导电图形、第四导电图形和第五导电图形；

所述第三导电图形与所述第一漏极同层设置且与所述第一漏极连接；

所述第四导电图形与所述第二漏极同层设置且与所述第二漏极连接；

所述第三导电图形与所述第四导电图形连接；所述第三导电图形搭接在所述第五导电图形上。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：第一导电图形和第二导电图形；

所述第一导电图形位于所述第一源极背向所述第一有源层的一侧，所述第一导电图形与所述第一有源层之间形成有第一绝缘层，所述第一绝缘层上形成有第一过孔，所述第一源极和所述第一导电图形通过所述第一过孔连接，所述第一导电图形延伸至所述第一漏极所限定的区域外；

所述第二导电图形位于所述第二源极背向所述第二有源层的一侧，所述第二导电图形与所述第二有源层之间形成有第二绝缘层，所述第二绝缘层上形成有第二过孔，所述第二源极和所述第二导电图形通过所述第二过孔连接，所述第二导电图形延伸至所述第二漏极所限定的区域外；

所述第一导电图形位于所述第一漏极所限定的区域外的部分与所述第二导电图形位于所述第二漏极所限定的区域外的部分连接。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第五导电图形与所述第一导电图形同层设置。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：第六导电图形，所述第六导电图形与所述第二导电图形同层设置；

所述第六导电图形搭接在所述第四导电图形上。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一漏极和所述第二漏极的平行于所述衬底基板的截面形状均为圆环形；

所述第一源极和所述第二源极的平行于所述衬底基板的截面形状均为圆形。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括如上述权利要求1-5中任一所述的薄膜晶体管。

7.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成第一源极和第一漏极，所述第一漏极的平行于所述衬底基板的截面形状为环形，所述第一漏极环绕所述第一源极；

在第一源极和第一漏极背向衬底基板的一侧形成第一有源层，所述第一源极和所述第一漏极均与所述第一有源层连接；

在所述第一有源层背向所述衬底基板的一侧形成栅极；

在所述栅极背向所述衬底基板的一侧形成第二有源层；

在所述第二有源层背向所述衬底基板的一侧形成第二源极和第二漏极，所述第二漏极的平行于所述衬底基板的截面形状为环形，所述第二漏极环绕所述第二源极，所述第二源极和所述第二漏极均与所述第二有源层连接，所述第二源极与所述第一源极电连接，所述第二漏极与所述第一漏极电连接；

所述在衬底基板上形成第一源极和第一漏极的步骤的同时还包括：

形成与所述第一漏极同层设置的第三导电图形，所述第三导电图形与所述第一漏极连接；

所述在所述第二有源层背向所述衬底基板的一侧形成第二源极和第二漏极的步骤的同时还包括：

形成与所述第二漏极同层设置的第四导电图形，所述第四导电图形与所述第二漏极连接，所述第四导电图形与所述第三导电图形连接；

所述在衬底基板上形成第一源极和第一漏极的步骤之前还包括：

在衬底基板上形成第五导电图形，所述第三导电图形搭接在所述第五导电图形上。