[发明专利]粘合带切断方法和粘合带切断装置

权利要求书

1.一种粘合带切断方法，使切刀沿着形成有具有一侧倾斜和另一侧倾斜的V形状的凹口的半导体晶圆的外周相对移动，沿着半导体晶圆的外形切断被粘贴于半导体晶圆的表面的粘合带，其特征在于，

该粘合带切断方法包括以下工序：

第1调整工序，在将所述切刀自所述粘合带抽出的状态下，将所述切刀的刀尖的方向调整为自所述半导体晶圆的径向外侧朝向内侧的第1方向；

第1切断工序，使刀尖被调整为所述第1方向的所述切刀刺穿所述粘合带，在将所述切刀的刀尖的朝向维持为所述第1方向的状态下，沿着所述一侧倾斜切断所述粘合带；

第2调整工序，在将所述切刀自所述粘合带抽出的状态下，将所述切刀的刀尖的方向调整为自所述半导体晶圆的径向外侧朝向内侧的第2方向；

第2切断工序，使刀尖被调整为所述第2方向的所述切刀刺穿所述粘合带，在将所述切刀的刀尖的朝向维持为所述第2方向的状态下，沿着所述另一侧倾斜切断所述粘合带；以及

外周切断工序，沿着所述半导体晶圆的外周切断所述粘合带。

2.根据权利要求1所述的粘合带切断方法，其特征在于，

所述凹口的最深部为将所述一侧倾斜和所述另一侧倾斜连结起来的弯曲了的谷部，

在所述第1切断工序和所述第2切断工序中的至少一个工序中，

使所述刀尖相对于所述凹口的倾斜具有规定的切入角度，

在使具有所述规定的切入角度的所述切刀抵接于所述倾斜的状态下，沿着所述倾斜直至所述凹口的最深部为止地切断所述粘合带。

3.根据权利要求2所述的粘合带切断方法，其特征在于，

在所述第1切断工序和所述第2切断工序中的至少一个工序中，

在使所述切刀的侧面抵接于所述倾斜的状态下，沿着所述倾斜直至所述凹口的最深部为止地切断所述粘合带。

4.根据权利要求3所述的粘合带切断方法，其特征在于，

在所述第1切断工序和所述第2切断工序中的至少一个工序中，

在使所述切刀的侧面抵接于所述倾斜且所述刀尖和所述倾斜非接触的状态下，沿着所述倾斜直至所述凹口的最深部为止地切断所述粘合带。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的粘合带切断方法，其特征在于，

在所述第1切断工序和所述第2切断工序中的至少一个工序中，

进行如下控制：沿着所述倾斜和所述谷部各自的形状改变使所述切刀移动的方向。

6.根据权利要求1所述的粘合带切断方法，其特征在于，

所述凹口的最深部为将所述一侧倾斜和所述另一侧倾斜连结起来的弯曲了的谷部，

在所述第1切断工序和所述第2切断工序中的至少一个工序中，

通过使所述切刀的所述刀尖朝向所述凹口的最深部直进，从而切断所述粘合带。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的粘合带切断方法，其特征在于，

该粘合带切断方法包括切断检测工序，检测利用所述第1切断工序和所述第2切断工序切断所述凹口部分的所述粘合带的情况。

8.根据权利要求7所述的粘合带切断方法，其特征在于，

通过保持半导体晶圆的保持台吸附被切断的所述凹口部分的所述粘合带，来进行所述切断检测工序。

9.一种粘合带切断装置，其是半导体晶圆的粘合带切断装置，使切刀沿着形成有具有一侧倾斜和另一侧倾斜的V形状的凹口的半导体晶圆的外周相对移动，沿着半导体晶圆的外形切断被粘贴于半导体晶圆的表面的粘合带，其特征在于，

利用权利要求1至4中任一项所述的粘合带切断方法来切断所述粘合带。