[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201711031466.8 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN108022936B | 公开(公告)日: | 2022-04-05 |
发明(设计)人: | 姜韩仙;孙眩镐;徐景韩;李尚烈;吕焕国;卢承旭 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司;LG伊诺特有限公司;LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
包括凹部的薄膜晶体管(TFT)阵列基板;和
位于所述凹部中的发光器件,所述发光器件包括第一电极和第二电极,
其中所述发光器件包括第一部分和与所述第一部分相对的第二部分,所述第一部分包括所述第一电极和所述第二电极,
其中所述第一部分设置为比所述第二部分更远离所述凹部的底表面,
其中所述薄膜晶体管阵列基板还包括平坦化层,所述平坦化层包括所述凹部,并且
其中所述第一电极和所述第二电极的其中之一设置在与所述平坦化层的顶部相同的平面上。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述发光器件的第二部分设置在所述第一部分与所述凹部的底表面之间。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述发光器件的第二部分面对所述凹部的底表面。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述凹部从所述平坦化层的顶表面凹入地设置。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中所述凹部包括设置在所述凹部的底表面与所述平坦化层的顶表面之间的倾斜表面。
6.根据权利要求4所述的显示装置,还包括:
像素电极图案,所述像素电极图案沉积在所述平坦化层的顶表面上并且直接电连接至所述发光器件的第一电极;和
公共电极图案,所述公共电极图案沉积在所述平坦化层的顶表面上并且直接电连接至所述发光器件的第二电极。
7.根据权利要求4所述的显示装置,其中所述薄膜晶体管阵列基板还包括像素,所述像素包括所述凹部和所述发光器件,并且
其中所述像素包括:
被所述平坦化层覆盖的驱动薄膜晶体管;
像素电极图案,所述像素电极图案通过设置在所述平坦化层中的第一接触孔电连接至所述驱动薄膜晶体管,并且直接电连接至所述发光器件的第一电极;和
公共电极图案,所述公共电极图案直接电连接至所述发光器件的第二电极。
8.根据权利要求7所述的显示装置,其中所述薄膜晶体管阵列基板还包括:
驱动电源线,所述驱动电源线电连接至所述驱动薄膜晶体管并且被所述平坦化层覆盖;和
公共电源线,所述公共电源线电连接至所述公共电极图案并且被所述平坦化层覆盖,
其中所述公共电极图案通过设置在所述平坦化层中的第二接触孔电连接至所述公共电源线,并且直接电连接至所述发光器件的第二电极。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中所述薄膜晶体管阵列基板还包括填充物,所述填充物填充到位于所述凹部中的发光器件的外周部分中。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中所述填充物直接接触所述像素电极图案和所述公共电极图案。
11.根据权利要求8所述的显示装置,其中所述发光器件包括:
第一半导体层,所述第一半导体层面对所述凹部的底表面;
位于所述第一半导体层的一侧上的有源层;和
位于所述有源层上的第二半导体层,
所述第一电极设置在所述第二半导体层上并且连接至所述像素电极图案,并且
所述第二电极设置在所述第一半导体层的另一侧上并且连接至所述公共电极图案。
12.根据权利要求1至11之一所述的显示装置,其中所述薄膜晶体管阵列基板还包括位于所述发光器件与所述凹部的底表面之间的粘合剂层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的