[发明专利]显示装置有效

专利信息
申请号: 201711031466.8 申请日: 2017-10-27
公开(公告)号: CN108022936B 公开(公告)日: 2022-04-05
发明(设计)人: 姜韩仙;孙眩镐;徐景韩;李尚烈;吕焕国;卢承旭 申请(专利权)人: 乐金显示有限公司;LG伊诺特有限公司;LG电子株式会社
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示装置,包括:

包括凹部的薄膜晶体管(TFT)阵列基板;和

位于所述凹部中的发光器件,所述发光器件包括第一电极和第二电极,

其中所述发光器件包括第一部分和与所述第一部分相对的第二部分,所述第一部分包括所述第一电极和所述第二电极,

其中所述第一部分设置为比所述第二部分更远离所述凹部的底表面,

其中所述薄膜晶体管阵列基板还包括平坦化层,所述平坦化层包括所述凹部,并且

其中所述第一电极和所述第二电极的其中之一设置在与所述平坦化层的顶部相同的平面上。

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述发光器件的第二部分设置在所述第一部分与所述凹部的底表面之间。

3.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述发光器件的第二部分面对所述凹部的底表面。

4.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述凹部从所述平坦化层的顶表面凹入地设置。

5.根据权利要求4所述的显示装置,其中所述凹部包括设置在所述凹部的底表面与所述平坦化层的顶表面之间的倾斜表面。

6.根据权利要求4所述的显示装置,还包括:

像素电极图案,所述像素电极图案沉积在所述平坦化层的顶表面上并且直接电连接至所述发光器件的第一电极;和

公共电极图案,所述公共电极图案沉积在所述平坦化层的顶表面上并且直接电连接至所述发光器件的第二电极。

7.根据权利要求4所述的显示装置,其中所述薄膜晶体管阵列基板还包括像素,所述像素包括所述凹部和所述发光器件,并且

其中所述像素包括:

被所述平坦化层覆盖的驱动薄膜晶体管;

像素电极图案,所述像素电极图案通过设置在所述平坦化层中的第一接触孔电连接至所述驱动薄膜晶体管,并且直接电连接至所述发光器件的第一电极;和

公共电极图案,所述公共电极图案直接电连接至所述发光器件的第二电极。

8.根据权利要求7所述的显示装置,其中所述薄膜晶体管阵列基板还包括:

驱动电源线,所述驱动电源线电连接至所述驱动薄膜晶体管并且被所述平坦化层覆盖;和

公共电源线,所述公共电源线电连接至所述公共电极图案并且被所述平坦化层覆盖,

其中所述公共电极图案通过设置在所述平坦化层中的第二接触孔电连接至所述公共电源线,并且直接电连接至所述发光器件的第二电极。

9.根据权利要求8所述的显示装置,其中所述薄膜晶体管阵列基板还包括填充物,所述填充物填充到位于所述凹部中的发光器件的外周部分中。

10.根据权利要求9所述的显示装置,其中所述填充物直接接触所述像素电极图案和所述公共电极图案。

11.根据权利要求8所述的显示装置,其中所述发光器件包括:

第一半导体层,所述第一半导体层面对所述凹部的底表面;

位于所述第一半导体层的一侧上的有源层;和

位于所述有源层上的第二半导体层,

所述第一电极设置在所述第二半导体层上并且连接至所述像素电极图案,并且

所述第二电极设置在所述第一半导体层的另一侧上并且连接至所述公共电极图案。

12.根据权利要求1至11之一所述的显示装置,其中所述薄膜晶体管阵列基板还包括位于所述发光器件与所述凹部的底表面之间的粘合剂层。

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