[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有栅极结构；

在所述栅极结构的侧壁形成第一侧墙，所述第一侧墙内具有逸散离子；

在所述第一侧墙的侧壁表面形成保护层，所述保护层用于阻挡逸散离子的逸散；

在所述栅极结构、第一侧墙和保护层两侧的基底内形成轻掺杂区；

形成所述轻掺杂区之后，在所述保护层的侧壁形成第二侧墙。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二侧墙的形成步骤包括：在所述基底、第一侧墙和栅极结构的顶部表面、以及保护层的侧壁和顶部表面形成第二侧墙膜；去除所述基底、保护层、第一侧墙和栅极结构顶部表面的第二侧墙膜，形成所述第二侧墙。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二侧墙膜的材料与第一侧墙的材料不同；去除所述基底、保护层、第一侧墙和栅极结构顶部表面的第二侧墙膜的工艺包括：各向异性干法刻蚀工艺，所述各向异性干法刻蚀工艺对第二侧墙膜和对第一侧墙的刻蚀选择比为：1:1～8:1。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的介电常数为：5～9。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的材料包括：硅氧碳氮化合物，所述逸散离子为氮离子；所述第二侧墙的材料包括氮化硅。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括：氧化硅、氮化硅或者非晶硅。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为氮化硅时，所述保护层的形成工艺包括：原子层沉积工艺；所述原子层沉积工艺的参数包括：温度为500摄氏度～650摄氏度，压力为0.1毫托～700托。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为：1埃～50埃。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层之后，形成轻掺杂区之前，所述形成方法还包括退火处理。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理的工艺包括：激光退火工艺、闪光退火或者超短脉冲退火；所述激光退火工艺的参数包括：温度为600摄氏度～1200摄氏度，时间为1秒～300秒。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二侧墙之后，所述形成方法包括：在所述栅极结构、第一侧墙、保护层和第二侧墙两侧的基底内分别形成源漏掺杂区。

12.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底上具有栅极结构；

位于栅极结构侧壁的第一侧墙，所述第一侧墙内具有逸散离子；

位于所述第一侧墙侧壁的保护层，所述保护层用于阻挡逸散离子的逸散；

分别位于所述栅极结构、第一侧墙和保护层两侧基底内的轻掺杂区；

位于所述保护层侧壁的第二侧墙。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述第二侧墙与第一侧墙的刻蚀选择比为：1:1～8:1，所述第一侧墙的介电常数为：5～9。

14.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述第一侧墙的材料包括：硅氧碳氮化合物，所述逸散离子为氮离子；所述第二侧墙的材料包括氮化硅。

15.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层的材料包括：氧化硅、氮化硅或者非晶硅。