[发明专利]一种应用于MOS器件的偏压温度不稳定性的测试方法

权利要求书

1.一种应用于MOS器件的偏压温度不稳定性的测试方法，其特征在于包括以下步骤：

A.将待测MOS器件放置于测试环境中，设置栅极电压进行扫描，扫描得到所述待测MOS器件的原始转移特性曲线，调整栅极电压，根据所述原始转移特性曲线确定所述待测MOS器件处于正常工作状态，测得所述待测MOS器件的栅极的阀值电压Vth以及对应的漏极电流Id₀；

B.在所述待测MOS器件的源极和漏极之间设置感应电压Vds，测试漏极电流Id；

C.设置所述栅极电压的相邻扫描间隙时间Δt；

D.在所述栅极施加感应电压,测试所述漏极电流Id的时间为t1,计算时间t1所需要的扫描点的个数n1：n1＝t1/Δt；记录n1个扫描点对应的漏极电流Id1；

E.在所述栅极施加应力电压，施加所述应力电压的时间为t2，计算出时间t2所需要的扫描点的个数n2：n2＝t2/Δt，记录n2个扫描点对应的漏极电流Id2；

F.撤销施加在栅极的应力电压，在所述栅极施加感应电压，所述感应电压与步骤D中的感应电压的值相同；测试所述栅极的恢复时间为t3，计算出时间t3所需要的扫描点的个数n3，n3＝t3/Δt，记录n3个扫描点对应的漏极电流Id3；

G.重复步骤D～步骤F，定义Id3中与Id0相等的值为Idsmeasure，Idsmeasure值为Id3中的最小电流值，定义与Idsmeasure相对应的感应电压的值即为在栅极撤销应力电压后的阀值电压Vths；

H.计算出阀值偏移量ΔVth＝Vths–Vth。

2.根据权利要求1所述的应用于MOS器件的偏压温度不稳定性的测试方法，其特征在于：所述应力电压小于MOS器件的击穿电压，所述应力电压取0.5V、1.0V、1.2V及1.3V中任一值。

3.根据权利要求1所述的应用于MOS器件的偏压温度不稳定性的测试方法，其特征在于：所述感应电压0.2V、0.3V及0.4V中任一值。

4.根据权利要求3所述的应用于MOS器件的偏压温度不稳定性的测试方法，其特征在于：所述待测MOS器件的衬底和源端均接地。