[发明专利]一种γ位二烷基溴丙烷的合成方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机化学合成领域，更具体地，涉及一种γ位二烷基溴丙烷的合成方法。

背景技术

γ位含有一个或者两个长链烷基的溴丙烷常用于光电材料、半导体等功能型聚合物的合成，例如，Francesco Ciardelli等（e-Polymers 2002, no. 015.）报道了使用γ位二烷基溴丙烷合成的三噻吩类聚合物比类似直链三噻吩类聚合物具有更低结晶度和熔点，在UHMWPE中可以在分子水平分散均匀，提供高色率偏振器，从而使机械混合制备二元薄膜更容易。

Kazuo Takimiya等（Polymer Journal (Tokyo, Japan), 49(1),169-176）报道了使用γ位二烷基溴丙烷合成的PTTD4Ts类和PQA2Ts类半导体聚合物，其烷基侧链分支位置排序对半导体优化有序结构和电荷输运性质有重要影响。其中，γ位

二烷基溴丙烷合成的PQA2Ts类半导体聚合物具有更大的Mw (kDa)和Mw/Mn值。

综上所述，γ位二烷基溴丙烷是一类重要的化合物，可用于光电材料、半导体等功能型聚合物的合成。但是γ位二烷基溴丙烷通常难以获得，缺乏通用方法合成，合成复杂路线较长，需要多步骤合成。

发明内容

针对现有技术的不足，为改善合成γ位二烷基溴丙烷缺乏通用方法合成，合成复杂路线较长，需要多步骤合成的不足，本发明提供一种路线简短、适用性广，反应条件相对温和、反应收率高，成本低廉，适合工业放大生产的γ位二烷基溴丙烷的合成方法。

本发明是通过以下技术方案进行实现的：

一种γ位二烷基溴丙烷的合成方法，包括以下步骤，

S1、在碱存在下，化合物Ⅰ与膦酰基乙酸三乙酯进行Horner-Wadsworth-Emmons反应生成化合物Ⅱ；

S2、化合物Ⅱ与钯碳进行氢化还原反应生成化合物Ⅲ；

S3、化合物Ⅲ在NaBH4作用下发生还原反应生成化合物Ⅳ；

S4、化合物Ⅳ与溴化物发生取代反应生成化合物Ⅴ；

其中，化合物Ⅰ为：；化合物Ⅱ为：；

化合物Ⅲ为：；化合物Ⅳ为：；

化合物Ⅴ为：；其中n₁ 、n₂分别为自然数；

合成路线如下：

。

进一步地，n₁ = n₂。

进一步地，n₁ > n₂。

进一步地，n₁ < n₂。

进一步地，步骤S1中，所述碱为Na₂CO₃、K₂CO₃、NaOH、KOH、氢化钠、甲醇钠、乙醇钠、叔丁醇钾、二异丙基氨基锂(LDA)、三乙胺、吡啶、奎宁、1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳-7-烯(DBU)、1,5,7-三叠氮双环(4.4.0)癸-5-烯(TBD)、MTBD、DBN或四丁基氢氧化铵。

进一步地，步骤S1中，所述碱优选为氢化钠。

进一步地，步骤S4中，所述溴化物为HBr、PBr₃、CBr₄、NBS、二溴三苯基膦或Br₂。

进一步地，步骤S4中，所述溴化物优选为PBr₃。

与现有技术相比，本发明具有如下优点：

路线简短、适用性广，反应条件相对温和、反应收率高，成本低廉，适合工业放大生产等特点 。

具体实施方式

下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征更易被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围作出更为清楚的界定。

实施例1

1、3-丁基庚-2-烯酸乙酯的合成（n₁ 、n₂=3）