[发明专利]发光二极管晶粒的检测方法

说明书

一种发光二极管晶粒的检测方法，包括如下步骤：提供一装有溶剂的容器，将多个发光二极管晶粒放置于所述容器中，形成发光二极管晶粒与溶剂的混合溶液；提供一具有电路的基板，所述基板上形成有多个容置孔，所述容置孔底部包含有P电极和N电极，所述P电极和N电极连接所述电路；将含有发光二极管晶粒的混合溶液转移至所述基板的表面；将所述发光二极管晶粒进行定位以去除位于所述基板的第一表面上的发光二极管晶粒；对位于所述容置孔内的发光二极管晶粒进行检测筛选；提供一承载膜，依据检测结果将发光二极管晶粒进行分类或分级。

技术领域

本发明涉及一种发光二极管晶粒的检测方法。

背景技术

发光二极管以其亮度高、节能环保、寿命长等优势广泛的应用于照明领域和背光显示领域。

近年来，很多背光显示领域中需要采用数十微米级别的发光二极管，因此，很多情况下需要所述发光二极管逐渐尺寸逐渐趋向小型化。然而，由于发光二极管的尺寸较小，那么在发光二极管晶粒的制程后，有一部分发光二极管晶粒沉淀在溶剂中，需要对沉淀在溶剂中的发光二极管晶粒进行检测，从而依照光电特性不同将发光二极管晶粒进行分类，从而通过进一步优化来保证发光二极管晶粒的品质。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种尺寸小的发光二极管晶粒的检测方法。

一种发光二极管晶粒的检测方法，包括如下步骤：

提供一装有溶剂的容器，将发光二极管晶粒放置于所述容器中，形成发光二极管晶粒与溶剂的混合溶液；

提供一具有电路的基板，所述基板上形成有多个容置孔，所述容置孔底部包含有P电极和N电极，所述P电极和N电极连接所述电路；

将含有发光二极管晶粒的混合溶液转移至所述基板的表面；

将所述发光二极管晶粒进行定位以去除位于所述基板的第一表面上的发光二极管晶粒；

对位于所述容置孔内的发光二极管晶粒进行检测筛选；

提供一承载膜400，将上述步骤中检测完成的发光二极管晶粒分类或分级。

进一步地，所述溶剂包括IPA以及粘滞系数大于IPA的有机物或者有机物的混合物，所述发光二极管晶粒具有正面A和与所述正面A相对的背面B。

进一步地，所述基板包括一第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述容置孔的纵截面呈倒梯形，所述容置孔的孔径自所述第一表面朝向第二表面方向逐渐减小，且所述容置孔的孔径与所述发光二极管晶粒的直径配合，所述容置孔的倒梯形角度与所述发光二极管晶粒侧边角度配合，从而容置孔与所述发光二极管晶粒配合后，所述发光二极管晶粒的P电极和N电极与所述容置孔的第一电极、第二电极对应。

进一步地，转移的方法包括喷涂、涂布或者冲刷，将所述发光二极管晶粒完成转移步骤后，所述发光二极管晶粒部分位于所述基板的第一表面上，部分容置于所述容置孔内。

进一步地，将所述发光二极管晶粒去除的方法包括超音波振动、机械振动或者电磁振动，所述检测方法包括提供电流进行电性测试或者通过光强度测试。

进一步地，所述分类或分级后，所述发光二极管晶粒分为正面A向上的发光二极管晶粒和背面B向上的发光二极管晶粒。

进一步地，所述发光二极管晶粒包括一第一半导体层、依次设置于所述第一半导体层之上的发光活性层、第二半导体层、第一电极和第二电极，所述第一半导体层纵截面呈T型，所述第一半导体层包括一主体部及自所述主体部中部延伸而成的延伸部，所述发光活性层、第二半导体层以及第一电极均以此设置于所述延伸部上，所述第二电极环绕设置于所述主体部边缘且与所述延伸部、发光活性层、第二半导体层均间隔设置。