[发明专利]一种基于石墨烯的有机无机杂化太阳能电池在审
申请号: | 201711040045.1 | 申请日: | 2017-10-31 |
公开(公告)号: | CN107808928A | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
发明(设计)人: | 朱洋;邵蓉 | 申请(专利权)人: | 南京旭羽睿材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/44 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 211100 江苏省南京市江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 石墨 有机 无机 太阳能电池 | ||
1.一种基于石墨烯的有机无机杂化太阳能电池,自下而上包括:衬底(1)、石墨烯阳极(2)、空穴传输层(3)、有机无机杂化光活性层(4)、电子传输层(5)、反射阴极(6),其特征在于:所述石墨烯阳极(2)为三层薄膜结构,包括第一石墨烯层(201)、Ag纳米颗粒层(202)和第二石墨烯层(203),所述的第一石墨烯层(201)、Ag纳米颗粒层(202)和第二石墨烯层(203)成的三明治结构,所述的第一石墨烯层(201)的厚度为10-20 nm,Ag纳米颗粒层(202)厚度0.5-2 nm,第二石墨烯层(203)的厚度为20-40 nm。
2.根据权利要求 1 所述的一种基于石墨烯的有机无机杂化太阳能电池,其特征在于:所述的衬底(1)包括但不限于玻璃、石英等硬质透明衬底以及PET、PEN、PI、PC及PDMS等聚合物柔性衬底,所述衬底在可见光波段的平均透光率高于90%。
3.根据权利要求 1 所述的一种基于石墨烯的有机无机杂化太阳能电池,其特征在于:所述空穴传输层(3) 包括但不限于CuPc、PbPc、PETDOT:PSS、CuSCN、CuI、NiOx、PbI、MoO3、WO3和V2O5,所述空穴传输层(3)厚度为10-50 nm。
4.根据权利要求 1 所述的一种基于石墨烯的有机无机杂化太阳能电池,其特征在于:所述有机无机杂化光活性层(4)为CH3NH3PbI3,所述的有机无机杂化光活性层(4)的厚度为200-1000 nm。
5.根据权利要求 1 所述的一种基于石墨烯的有机无机杂化太阳能电池,其特征在于:所述电子传输层(5)为ZnO氧化锌、TiO2二氧化钛、C60、C70、PCBM中的一种,所述电子传输层(5)的厚度为20~50 nm。
6.根据权利要求 1 所述的一种基于石墨烯的有机无机杂化太阳能电池,其特征在于:所述反射阴极(6) 包括Au金、Ag银、Al铝、Cu铜中的一种,所述反射阴极(6)厚度为50-1000 nm。
7.根据权利要求 1 所述的一种基于石墨烯的有机无机杂化太阳能电池的制备方法,其特征在于:器件的制备包括如下步骤,
S1、清洗衬底:将在衬底依次置于去离子水、丙酮、异丙醇和去离子水中超声清洗 10-20 min,清洗完成后用氮气枪吹干,吹干后在254 nm的紫外灯下照射处理20分钟待用;
S2、制备石墨烯阳极:在衬底上依次制备第一石墨烯层、Ag纳米颗粒层和第二石墨烯层;
S3、制备空穴传输层:采用热蒸镀法或者旋转涂覆法,在有机光活性层上制备一层厚度10-50 nm的空穴传输层;
S4、制备有机无机杂化光活性层:在空穴传输层上旋涂PbI2的二甲基亚砜溶液,并在 70℃下退火 15min,以蒸发有机溶剂,旋涂时的转速为2000-3500r/min,旋涂的时间为 30-60s;将上述基片浸泡在CH3NH3I的异丙醇溶液中,在60℃温度下保持 5-20 min,以保证 PbI2与 CH3NH3I 这两种材料充分反应;所得基片用异丙醇冲洗后,放在100℃加热板上退火30-100min;
S5、制备电子传输层:采用热蒸镀法或者旋转涂覆法,在有机无机杂化光活性层上制备一层厚度20-50 nm的电子传输层;
S6、制备反射阴极:采用热蒸镀在空穴传输层上蒸镀一层厚度为100-1000 nm的Au金、Ag银、Al铝、Cu铜作为不透明的金属反射阴极,完成器件的制备。
8.根据权利要求 1 或权利要求8任一所述的一种基于石墨烯的有机无机杂化太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述石墨烯阳极的制备包括步骤:在衬底上转移第一石墨烯层,第一石墨烯层薄膜通过化学气相沉积方法在铜箔表面制备,并通过转移至衬底上,其厚度为10-20 nm;在上述石墨烯薄膜上通过热沉积的方法生长Ag纳米颗粒层;Ag纳米颗粒层的生长在超高真空镀膜机中通过热蒸发金属Ag完成,沉积过程中,控制设备内真空度为小于5×10-4Pa,Ag纳米颗粒的沉积速度控制在0.005-0.01 nm/s,以利于控制Ag纳米颗粒在石墨烯表面的尺寸;在上述Ag纳米颗粒层上转移第二石墨烯层,第二石墨烯层薄膜通过化学气相沉积方法在铜箔表面制备,并通过转移至Ag纳米颗粒层上,其厚度为20-40 nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京旭羽睿材料科技有限公司,未经南京旭羽睿材料科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711040045.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示模组与载体基板的分离方法及载体基板
- 下一篇:床品套件(维也纳婚典)
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择