[发明专利]像素结构电路及液晶显示电路

权利要求书

1.一种像素结构电路，其特征在于，包括：

一栅极线，其用于传输栅极电压；

一数据线，其用于传输数据电压；

第一公共线，其用于传输第一公共电压；

第二公共线，其用于传输第二公共电压；

第一主区场效应管，其源极与数据线连接，其栅极与栅极线连接，其漏极连接主区像素电容；

第二主区场效应管，其源极与第一主区场效应管的漏极连接并通过主区存储电容与第一公共线连接，其栅极与栅极线连接，其漏极通过主区分享电容与第二公共线连接；

第一子区场效应管，其源极与数据线连接，其栅极与栅极线连接，其漏极与子区像素电容连接；

第二子区场效应管，其源极与第一子区场效应管的漏极连接并通过子区存储电容与第二公共线连接，其栅极与栅极线连接，其漏极与第一公共线连接；

所述第一公共电压与第二公共电压不相等。

2.根据权利要求1所述的像素结构电路，其特征在于，包括第一主区像素电极以及第一主区公共电极；

所述第一主区像素电极与所述第二主区场效应管的源极连接，所述第一主区公共电极与所述第一公共线连接；

所述第一主区像素电极与所述第一主区公共电极形成所述主区存储电容。

3.根据权利要求2所述的像素结构电路，其特征在于，还包括第一子区公共电极以及第一子区像素电极；

所述第一子区公共电极与所述第二公共线连接，所述第一子区像素电极与所述第二子区场效应管的源极连接

所述第一子区公共电极以及第一子区像素电极形成所述子区存储电容。

4.根据权利要求3所述的像素结构电路，其特征在于，还包括主区金属层，所述主区金属层与所述第二主区场效应管的漏极连接，所述主区金属层与所述第一子区公共电极形成所述主区分享电容。

5.根据权利要求3所述的像素结构电路，其特征在于，还包括子区分享电容，所述第二子区场效应管的漏极通过所述子区分享电容与第一公共线连接。

6.根据权利要求5所述的像素结构电路，其特征在于，还包括子区金属层，所述子区金属层与所述第二子区场效应管的漏极连接，所述子区金属层与第一主区公共电极形成所述子区分享电容。

7.根据权利要求1所述的像素结构电路，其特征在于，所述第一主区场效应管、第二主区场效应管、第一子区场效应管以及第二子区场效应管均为薄膜晶体管。

8.一种液晶显示电路，其特征在于，包括像素结构电路，所述像素结构电路包括：

一栅极线，其用于传输栅极电压；

一数据线，其用于传输数据电压；

第一公共线，其用于传输第一公共电压；

第二公共线，其用于传输第二公共电压；

第一主区场效应管，其源极与数据线连接，其栅极与栅极线连接，其漏极连接主区像素电容；

第二主区场效应管，其源极与第一主区场效应管的漏极连接并通过主区存储电容与第一公共线连接，其栅极与栅极线连接，其漏极通过主区分享电容与第二公共线连接；

第一子区场效应管，其源极与数据线连接，其栅极与栅极线连接，其漏极与子区像素电容连接；

第二子区场效应管，其源极与第一子区场效应管的漏极连接并通过子区存储电容与第二公共线连接，其栅极与栅极线连接，其漏极与第一公共线连接；

所述第一公共电压与第二公共电压不相等。

9.根据权利要求8所述的液晶显示电路，其特征在于，包括第一主区像素电极以及第一主区公共电极；

所述第一主区像素电极与所述第二主区场效应管的源极连接，所述第一主区公共电极与所述第一公共线连接；

所述第一主区像素电极与所述第一主区公共电极形成所述主区存储电容。

10.根据权利要求9所述的液晶显示电路，其特征在于，还包括第一子区公共电极以及第一子区像素电极；

所述第一子区公共电极与所述第二公共线连接，所述第一子区像素电极与所述第二子区场效应管的源极连接

所述第一子区公共电极以及第一子区像素电极形成所述子区存储电容。