[发明专利]一种用于电磁故障注入的纳秒级电磁脉冲发生器在审
| 申请号： | 201711041567.3 | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN107818218A | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 袁果;刘强 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人： | 刘子文 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 电磁 故障 注入 纳秒级 脉冲 发生器 | ||
1.一种用于电磁故障注入的纳秒级电磁脉冲发生器，其特征在于，包括直流电源、信号发生器、Marx发生器、MOSFET驱动电路和电磁探头，
所述直流电源与所述MOSFET驱动电路、Marx发生器分别连接，为所述MOSFET驱动电路和所述Marx发生器提供电源；
所述MOSFET驱动电路内置有MOSFET驱动芯片、瞬态电压抑制二极管(TVS)、保护电阻(R1)和栅极驱动电阻(Rg)；所述MOSFET驱动芯片的输入端与所述信号发生器的输出端连接，所述MOSFET驱动芯片的输出端与所述栅极驱动电阻(Rg)相连，所述瞬态电压抑制二极管(TVS)与所述栅极驱动电阻(Rg)串联，所述保护电阻(R1)与所述瞬态电压抑制二极管(TVS)并联；
所述Marx发生器包括充电隔离电阻(RC)和一至四级可调Marx电路，所述的充电隔离电阻(RC)的一端与所述直流电源的输出端相连，用于Marx电路的高压与直流电源隔离和充电限流；所述充电隔离电阻(RC)的另一端通过导线与所述Marx电路的第一级电路的二极管的正极连接，每级Marx电路由MOSFET开关、储能电容和二极管组成；在每级所述的Marx电路中二极管的负极通过导线与MOSFET开关和储能电容的并联点连接；所述Marx电路通过在PCB板上的各级连接处放置跳线帽来改变电路结构；MOSFET开关的栅源极分别与所述MOSFET驱动电路的瞬态电压抑制二极管(TVS)并联，用以避免MOSFET开关栅源极过电压导致器件损坏。
2.根据权利要求1所述一种用于电磁故障注入的纳秒级电磁脉冲发生器，其特征在于，所述电磁探头包括线圈匝数、铜线直径和铁氧体磁芯直径三个参数；通过对所述三个参数的设置得到不同类型的电磁探头，用以产生不同强度的电磁脉冲信号。
3.根据权利要求1所述一种用于电磁故障注入的纳秒级电磁脉冲发生器，其特征在于，所述电磁探头所产生的电磁脉冲强度与电磁探头上的电流变化率成正比。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711041567.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
