[发明专利]在中温下弹坑检测的预处理方法

权利要求书

1.在中温下弹坑检测的预处理方法，其特征在于：先将待检硅片浸入装有腐蚀液A的1号烧杯中，然后将整个1号烧杯中温水浴5-10分钟，接着取出待检硅片并用纯水冲洗干燥，然后将待检硅片放入装有腐蚀液B的2号烧杯中，并将整个2号烧杯中温水浴5-10分钟，然后将预处理后的待检硅片取出清洗干净，置于高倍显微镜下检测，所述高倍显微镜为200倍以上的显微镜；所述腐蚀液A为10-20%NaOH，该百分比为体积浓度；所述腐蚀液B为10-20%硫酸+3-5%醋酸+20-30%磷酸，该百分比为体积浓度；所述中温为40-60℃。

2.如权利要求1所述的在中温下弹坑检测的预处理方法，其特征在于：所述预处理后的待检硅片清洗包括：先用纯水冲洗，然后用无水乙醇脱水清洗干净。

3.如权利要求2所述的在中温下弹坑检测的预处理方法，其特征在于：所述无水乙醇的浓度为95%，该百分比为体积浓度。