[发明专利]半导体激光器巴条、半导体激光器单管及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体激光器巴条，其特征在于，所述半导体激光器巴条包括：

第一型衬底；

设置在所述第一型衬底上的外延层，所述外延层相对于所述第一型衬底的表面形成有多个半导体激光器电流注入区，其中所述多个半导体激光器电流注入区呈阵列分布；及

设置在相邻所述半导体激光器电流注入区对应非出光面侧的边沿之间的隔离槽；

其中，至少部分所述隔离槽为不规则结构。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器巴条，其特征在于，所述为不规则结构的隔离槽不对称，且其边沿为不规则的曲线和/或折线。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器巴条，其特征在于，所述外延层包括依次形成在所述第一型衬底上的第一型包层、第一波导层、有源层、第二波导层、第二型包层及第二型欧姆接触层；

其中，所述为不规则结构的隔离槽的底部位于或低于所述第一型包层或所述第一型衬底。

4.根据权利要求3所述的半导体激光器巴条，其特征在于，所述半导体激光器电流注入区由所述第二型欧姆接触层形成，所述半导体激光器电流注入区以外区域的蚀刻深度大于所述第二型欧姆接触层的厚度，所述电流阻挡层设置在所述半导体激光器电流注入区以外区域上。

5.一种半导体激光器单管，其特征在于，所述半导体激光器单管包括：

第一型衬底及设置在所述第一型衬底上的外延层，所述外延层相对于所述第一型衬底的表面形成有电流注入区；

其中至少部分所述外延层的至少一个非出光面侧的边沿为不规则结构。

6.根据权利要求5所述的半导体激光器单管，其特征在于，

所述为不规则结构的边沿为不规则的曲线和/或折线。

7.根据权利要求5所述的半导体激光器单管，其特征在于，

所述外延层包括依次在所述第一型衬底上外延的第一型包层、第一波导层、有源层、第二波导层、第二型包层及第二型欧姆接触层，其中所述第一波导层、有源层、第二波导层、第二型包层的至少一个非出光面侧的边沿为所述不规则结构。

8.根据权利要求7所述的半导体激光器单管，其特征在于，

至少部分所述第一型包层的至少一个非出光面侧的边沿为所述不规则结构。

9.根据权利要求7所述的半导体激光器单管，其特征在于，

所述第一型包层及至少部分所述第一型衬底的至少一个非出光面侧的边沿为所述不规则结构。

10.根据权利要求7所述的半导体激光器单管，其特征在于，

所述电流注入区由所述第二型欧姆接触层形成，所述电流注入区以外区域的蚀刻深度大于所述第二型欧姆接触层的厚度，所述电流阻挡层设置在所述电流注入区以外区域上，且所述电流阻挡层的至少一个非出光面侧的边沿为不规则结构。

11.一种半导体激光器巴条的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一第一型衬底；

在所述第一型衬底上形成外延层；

对所述外延层进行制程工艺处理以在所述外延层相对于所述第一型衬底的表面形成多个半导体激光器电流注入区，并在相邻所述半导体激光器电流注入区对应非出光面侧的边沿之间形成隔离槽，其中所述多个半导体激光器电流注入区呈阵列分布，至少部分所述隔离槽为不规则结构。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述为不规则结构的隔离槽不对称，且其边沿为不规则的曲线和/或折线。

13.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一型衬底上形成外延层的步骤包括：

在所述第一型衬底上依次外延形成第一型包层、第一波导层、有源层、第二波导层、第二型包层及第二型欧姆接触层以形成所述外延层。

14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，

所述隔离槽的底部位于或低于所述第一型包层与所述第一波导层接触的表面。