[发明专利]治疗成瘾性疾病的超声神经调控系统、方法及存储介质

说明书

本发明公开一种治疗成瘾性疾病的超声神经调控系统、方法及存储介质，该系统包括超声波产生与发射装置及超声电子控制装置，超声电子控制装置与超声波产生与发射装置相连接，超声电子控制装置用于产生脉冲信号，并将脉冲信号发送至超声波产生与发射装置，超声波产生与发射装置用于将脉冲信号转换成超声辐射力，并将超声辐射力作用于实验目标的大脑指定部位。其中，将超声辐射力作用于大脑指定部位，因不需要开颅手术，所以不会造成永久创伤，且靶点也可以更换，并且，因超声辐射力具有很强穿透能力，所以可以穿过颅骨、深入刺激核团，此外，因超声辐射力指向性好，所以可以准确刺激某一具体部位，实现更好的治疗效果。

技术领域

本发明涉及神经调控领域，尤其涉及一种治疗成瘾性疾病的超声神经调控系统、方法及存储介质。

背景技术

现有技术中，神经调控技术主要为电极深部脑刺激(Deep Brain Stimulation，DBS)技术、经颅直流电刺激(transcranial direct current stimulatioin，tDCS)技术和经颅磁刺激(transcranial magnetic stimulation，TMS)技术，但是，DBS技术是有创技术，临床通过开颅手术将1～2根电极植入深脑组织，对核团进行刺激会对脑组织和神经环路造成永久创伤，且靶点无法更换。而tDCS技术和TMS技术只能作用在患者的背外侧前额叶皮层，不具有穿透颅骨深入刺激核团的能力，其次，tDCS技术和TMS技术缺乏空间特异性，无法准确刺激某一具体部位。

因此，现有的神经调控技术存在着对脑组织和神经环路造成永久创伤、靶点无法更换、不具有穿透颅骨深入刺激核团的能力及无法准确刺激某一具体部位的技术问题。

发明内容

本发明实施例的主要目的在于提供一种治疗成瘾性疾病的超声神经调控系统、方法及存储介质，解决现有的神经调控技术存在的对脑组织和神经环路造成永久创伤、靶点无法更换、不具有穿透颅骨深入刺激核团的能力及无法准确刺激某一具体部位的技术问题。

为实现上述目的，本发明实施例第一方面提供一种治疗成瘾性疾病的超声神经调控系统，所述超声神经调控系统包括：超声波产生与发射装置及超声电子控制装置；

所述超声电子控制装置与所述超声波产生与发射装置相连接；

所述超声电子控制装置用于产生脉冲信号，并将所述脉冲信号发送至所述超声波产生与发射装置，所述超声波产生与发射装置用于将所述脉冲信号转换成超声辐射力，并将所述超声辐射力作用于实验目标的大脑指定部位。

进一步的，所述超声电子控制装置包括信号发生器及功率放大器；

所述信号发生器与所述功率放大器相连接，所述功率放大器与所述超声波产生与发射装置相连接；

所述信号发生器用于向所述功率放大器发射脉冲信号，所述功率放大器用于将所述脉冲信号放大处理，并将放大处理后的脉冲信号发送至所述超声波产生与发射装置。

进一步的，所述超声波产生与发射装置包括：超声换能器及辐射力准直器；

所述辐射力准直器粘接于所述实验目标的颅骨上，所述超声换能器与所述辐射力准直器相接合，所述超声换能器与所述功率放大器相连接；

所述超声换能器用于将所述功率放大器发送的放大处理后的脉冲信号转换成所述超声辐射力，并将所述超声辐射力作用于所述实验目标的大脑指定部位。

进一步的，所述超声换能器是单阵元超声换能器、针式超声换能器、多阵元面阵换能器、弧面阵超声换能器、超声表面波芯片、微型电容式超音波换能器中的任意一种。

进一步的，所述超声辐射力为超声波。

进一步的，所述大脑指定部位包括脑深部神经核团、大脑皮层及外围神经中的至少一个部位。