[发明专利]栅极驱动电路及开关电源装置在审

专利信息
申请号: 201711042823.0 申请日: 2017-10-30
公开(公告)号: CN108063541A 公开(公告)日: 2018-05-22
发明(设计)人: 兼田博利 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华;马运刚
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 栅极 驱动 电路 开关电源 装置
【权利要求书】:

1.一种栅极驱动电路,其与主开关元件连接且具备栅极电阻,其中,

所述栅极电阻由能够连续地变更电阻值的电压控制电阻构成。

2.根据权利要求1所述的栅极驱动电路,其中,

所述栅极驱动电路还具备控制电路,该控制电路基于所述主开关元件的输出电流值,来设定向所述电压控制电阻输入的电压值。

3.根据权利要求1所述的栅极驱动电路,其中,

所述栅极驱动电路还具备控制电路,该控制电路基于从驱动所述主开关元件的信号源输出的信号,来设定向所述电压控制电阻输入的电压值。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的栅极驱动电路,其中,

所述电压控制电阻具有场效应晶体管。

5.一种开关电源装置,其中,具备:

权利要求1~4中任一项所述的栅极驱动电路;

所述主开关元件;以及

与所述主开关元件反向并联地连接的回流二极管,

所述主开关元件及所述回流二极管的一部分由宽禁带半导体构成,或者所述主开关元件及所述回流二极管全部由宽禁带半导体构成。

6.根据权利要求5所述的开关电源装置,其中,

所述宽禁带半导体由碳化硅、氮化镓系材料、氧化镓系材料或金刚石形成。

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