[发明专利]一种高效硒碲化镉合金纳米晶太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种高效硒碲化镉合金纳米晶太阳电池，其特征在于，所述太阳电池由玻璃衬底、阴极、阴极界面层、窗口层、光活性层、背电极修饰层以及阳极从下到上依次层叠而成；

所述的窗口层为CdSe或CdSe_xTe_1-x合金薄膜，其中0＜x＜1；

所述的光活性层由CdSe_xTe_1-x合金薄膜与CdTe薄膜层叠构成，其中0＜x＜1；

所述的背电极修饰层为MoO_x，其中x=3；所述的阴极为掺氟二氧化锡透明导电膜和氧化铟锡透明导电膜中的至少一种，厚度为80~200nm；所述的阴极界面层为ZnO薄膜，厚度为20~100nm；所述的窗口层的厚度为20~100nm；所述的光活性层的厚度为200~600nm；所述的背电极修饰层的厚度为20~100nm；所述的阳极为Au，厚度为80~200nm。

2.一种制备权利要求1所述的一种高效硒碲化镉合金纳米晶太阳电池的方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）将附着有氧化铟锡导电膜的玻璃衬底洗净、烘干；

（2）采用sol-gel法制备ZnO薄膜，将前驱体溶于有机溶剂中，经旋涂、刷涂、喷涂、丝网印刷或喷墨打印方式沉积在氧化铟锡导电膜上，经烧结得到阴极界面层；所述烧结的温度为200-400℃，烧结的时间为10-20min；

（3）以十四酸镉作为Cd的前驱体，将Se和Te分别溶解于三辛基氧化膦中得到TOP-Se、TOP-Te分别作为Se和Te的前驱体，采用溶剂热法合成CdSe、CdTe纳米晶；将TOP-Se、TOP-Te混合，再加入十四酸镉作为Cd的前驱体，采用溶剂热法得到CdSe_xTe_1-x合金纳米晶；将所述的CdSe纳米晶、CdSe_xTe_1-x合金纳米晶、CdTe纳米晶分别溶于有机溶剂中得到分散液，再将分散液经旋涂、刷涂、喷涂、丝网印刷或喷墨打印方式沉积在阴极界面层上，得到CdSe窗口层、CdSe_xTe_1-x窗口层、CdSe_xTe_1-x光活性层、CdTe光活性层；

（4）采用蒸镀法在光活性层上依次蒸镀MoO_x、Au，得到一种高效硒碲化镉合金纳米晶太阳电池。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述的前驱体为二水醋酸锌，所述的有机溶剂为乙醇胺和乙二醇甲醚的混合溶剂。

4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）所述的有机溶剂为正丙醇、吡啶、奈啶、甲基吡啶、苯甲醇或吡啶/正丙醇混合溶剂。