[发明专利]一种低温多晶硅器件制作方法及多晶硅层平坦化方法有效
| 申请号： | 201711045283.1 | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN107799412B | 公开（公告）日： | 2020-07-03 |
| 发明（设计）人： | 张伟彬 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 多晶 器件 制作方法 平坦 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种低温多晶硅器件多晶硅层平坦化方法，其特征在于，包括：
步骤S1、将低温多晶硅器件晶化；
步骤S2、在晶化后的低温多晶硅器件不平坦的多晶硅层表面通过涂布工艺形成一层平坦涂布层；
步骤S3、对所述平坦涂布层进行固化；
步骤S4、将固化后的平坦涂布层及凸起的多晶硅通过干蚀刻法进行一次性去除，形成表面平坦的多晶硅层，其中，所述干蚀刻法使用的气体为O2和CF4的混合气体，所述CF4的含量占整个混合气体80％-95％。
2.根据权利要求1所述的一种低温多晶硅器件多晶硅层平坦化方法，其特征在于，所述步骤S2中，涂布工艺为PI涂布工艺。
3.根据权利要求2所述的一种低温多晶硅器件多晶硅层平坦化方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述PI涂布后的有机层为溶胶状态。
4.一种低温多晶硅器件的制作方法，其特征在于，所述低温多晶硅器件的多晶硅层通过权利要求1至3任一项所述的方法进行平坦化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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