[发明专利]载流子传输层的制备方法及磁控溅射装置有效
| 申请号： | 201711046174.1 | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN107871802B | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 常帅;钟海政 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 董天宝;于宝庆 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 载流子 传输 制备 方法 磁控溅射 装置 | ||
1.一种载流子传输层的制备方法，其特征在于，包括：
提供一导电基板；
将贵金属和载流子传输层材料制成靶材；
采用磁控溅射，在所述导电基板上同时沉积贵金属和载流子传输层材料，得到贵金属纳米颗粒掺杂的载流子传输层；以及
利用一遮掩板部分地遮盖所述靶材，使所述载流子传输层材料继续沉积在所述贵金属纳米颗粒掺杂的载流子传输层上以形成一保护层，其中所述遮掩板将所述贵金属完全遮盖而使所述载流子传输层材料部分或全部地露出。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述保护层的厚度小于10nm。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述载流子传输层材料为圆形且位于所述靶材的中心，所述贵金属以环状附着于所述载流子传输层材料的外围，所述遮掩板为环状，其内径小于所述靶材中所述载流子传输层材料的直径，外径大于所述靶材中所述贵金属的直径。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成所述保护层后，还包括对所述贵金属纳米颗粒掺杂的载流子传输层进行退火处理。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理在空气或惰性气体中进行，温度为150-800℃。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述贵金属为金、银或铂。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述载流子传输层材料为ZnO、TiO2、NiO、WO3、MoO3或V2O5。
8.根据权利要求1至5中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述载流子传输层为空穴传输层或电子传输层。
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