[发明专利]抛光设备及方法

权利要求书

1.一种抛光设备，其特征在于，所述抛光设备包括：

催化研磨垫，其表面包含有催化剂；

第一旋转装置，连接于所述催化研磨垫，并为所述催化研磨垫提供顺时针与逆时针两种旋转动力；

晶圆固定盘，用于固定待研磨晶圆，使得所述待研磨晶圆与所述催化研磨垫接触；

第二旋转装置，连接于所述晶圆固定盘，为所述晶圆固定盘及所述待研磨晶圆提供旋转动力，并提供所述待研磨晶圆与所述催化研磨垫的压力；

电压装置，用于为所述催化研磨垫及所述待研磨晶圆施加电压。

2.根据权利要求1所述的抛光设备，其特征在于：还包括一供液装置，用于为所述催化研磨垫提供反应液体。

3.根据权利要求2所述的抛光设备，其特征在于：所述反应液体包含水(H₂O)或过氧化氢(H₂O₂)的水溶液。

4.根据权利要求1所述的抛光设备，其特征在于：所述催化剂包括铂(Pt)、钯(Pd)、钌(Ru)、镍(Ni)、钴(Co)、铬(Cr)及钼(Mo)所组成的群组中的一种或两种以上组合。

5.根据权利要求1所述的抛光设备，其特征在于：所述待研磨晶圆包括碳化硅(SiC)晶圆及氮化镓(GaN)晶圆中的一种。

6.根据权利要求1所述的抛光设备，其特征在于：所述第二旋转装置提供所述待研磨晶圆与所述催化研磨垫的压力范围为500hpa～2000hpa。

7.根据权利要求1所述的抛光设备，其特征在于：所述第二旋转装置提供所述晶圆固定盘及所述待研磨晶圆的转速为不大于30rpm。

8.根据权利要求1所述的抛光设备，其特征在于：所述电压装置为所述催化研磨垫及所述待研磨晶圆施加电压范围为-1.5V～+1.5V。

9.根据权利要求1所述的抛光设备，其特征在于：还包括一液体循环系统，包括：

容置槽，环绕于所述催化研磨垫，并为所述催化研磨垫提供反应液体；

进液装置，用于为所述容置槽提供反应液体；以及

排液装置，用于将所述容置槽中的反应液体排出。

10.根据权利要求9所述的抛光设备，其特征在于：所述进液装置提供的反应液体包含水(H₂O)或过氧化氢(H₂O₂)的水溶液。

11.一种抛光方法，其特征在于，包括：

1)提供如权利要求1～10任意一项所述的抛光设备；

2)使所述晶圆固定盘及所述待研磨晶圆保持预设转速，使所述待研磨晶圆与所述催化研磨垫保持预设压力，向所述催化研磨垫及所述待研磨晶圆施加预设电压，以及向所述催化研磨垫注入反应液体；

3)基于所述第一旋转装置，控制所述催化研磨垫顺时针旋转第一距离，然后控制所述催化研磨垫逆时针旋转第二距离；以及

4)重复进行步骤3)，直至完成对所述待研磨晶圆的抛光。

12.根据权利要求11所述的抛光方法，其特征在于：所述待研磨晶圆与所述催化研磨垫保持的预设压力范围为500hpa～2000hpa，所述晶圆固定盘及所述待研磨晶圆的预设转速为不大于30rpm，向所述催化研磨垫及所述待研磨晶圆施加的预设电压范围为-1.5V～+1.5V。

13.根据权利要求11所述的抛光方法，其特征在于：步骤3)中，所述第一旋转装置控制所述催化研磨垫顺时针旋转的第一距离为不大于所述待研磨晶圆的直径，所述第一旋转装置控制所述催化研磨垫逆时针旋转的第二距离为不大于所述待研磨晶圆的直径。