[发明专利]一种硅晶体管与氮化镓晶体管异构集成的方法

权利要求书

1.一种硅晶体管与氮化镓晶体管异构集成的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，清洗氮化镓晶体管圆片，再用去离子水进行冲洗，然后放入甩干机进行甩干；在氮化镓晶体管圆片表面蒸发或溅射第一互联金属；

步骤2，在氮化镓晶体管圆片正面旋涂一层BCB，BCB的厚度大于第一互联金属的厚度，完全覆盖第一互联金属，并对BCB进行软固化；

步骤3，利用等离子体对氮化镓晶体管圆片上的BCB表面进行干法平坦化刻蚀，直至第一互联金属上表面露出来；

步骤4，清洗硅晶体管圆片，再用去离子水进行冲洗，然后放入甩干机进行甩干；在硅晶体管圆片表面与第一互联金属位置对应的地方蒸发或溅射第二互联金属；

步骤5，在硅晶体管圆片正面旋涂一层BCB，BCB的厚度大于第二互联金属的厚度，完全覆盖第二互联金属，并对BCB进行软固化；

步骤6，利用等离子体对硅晶体管圆片上的BCB表面进行干法平坦化刻蚀，直至第二互联金属表面露出来；

步骤7，将氮化镓晶体管圆片与硅晶体管圆片正面相对并通过两个圆片上各自的对准标记进行图形对准，在键合设备中实现第一互联金属和第二互联金属共融键合以及BCB热压同时键合；

步骤8，对键合后圆片的硅衬底通过研磨设备进行研磨减薄；

步骤9，在硅衬底上进行选择性刻蚀开孔，露出硅晶体管的互联金属，在刻蚀出的通孔内溅射或者电镀第三互联金属，完成硅晶体管与氮化镓晶体管的异构集成。

2.根据权利要求1所述的硅晶体管与氮化镓晶体管异构集成的方法，其特征在于，第一互联金属厚度为2-3微米。

3.根据权利要求2所述的硅晶体管与氮化镓晶体管异构集成的方法，其特征在于，第一互联金属为铜或金。

4.根据权利要求1所述的硅晶体管与氮化镓晶体管异构集成的方法，其特征在于，步骤2中对BCB进行120-140摄氏度软固化，软固化时间为1-2小时。

5.根据权利要求1所述的硅晶体管与氮化镓晶体管异构集成的方法，其特征在于，第二互联金属厚度为2-3微米。

6.根据权利要求5所述的硅晶体管与氮化镓晶体管异构集成的方法，其特征在于，第二互联金属为铟或锡。

7.根据权利要求1所述的硅晶体管与氮化镓晶体管异构集成的方法，其特征在于，步骤5中对BCB进行120-140摄氏度软固化，软固化时间为1-2小时。

8.根据权利要求1所述的硅晶体管与氮化镓晶体管异构集成的方法，其特征在于，步骤7中在温度为200-250摄氏度的条件下，在键合设备中实现第一互联金属和第二互联金属共融键合以及BCB热压同时键合。

9.根据权利要求1所述的硅晶体管与氮化镓晶体管异构集成的方法，其特征在于，步骤8中减薄剩余硅衬底的厚度至10-20微米。