[发明专利]浅沟槽隔离结构的凹陷区处理方法及半导体元器件在审
| 申请号： | 201711049448.2 | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109727905A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 张松;梁志彬;刘涛;金炎;王德进 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化硅 浅沟槽隔离结构 凹陷区 淀积 源区 栅氧化层 半导体元器件 寄生晶体管 上表面 凹陷 侧壁 衬底 表面热氧化 热氧化生长 填充浅沟槽 干法刻蚀 隔离结构 晶圆表面 漏电 边界处 多晶硅 交界处 生长 晶圆 刻蚀 填满 填入 填充 保留 覆盖 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构的凹陷区处理方法，包括：
提供在衬底上形成有浅沟槽隔离结构的晶圆，且浅沟槽隔离结构上表面在与有源区交界处形成有凹陷区；
在所述晶圆表面淀积氧化硅，且所述氧化硅填满所述凹陷区；
干法刻蚀淀积的所述氧化硅，通过控制刻蚀深度使得既能露出衬底的有源区表面、又能尽量保留所述凹陷区内填充的氧化硅；
在所述有源区表面热氧化生长栅氧化层。
2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的凹陷区处理方法，其特征在于，所述在所述有源区表面热氧化生长栅氧化层的步骤之后，还包括在所述晶圆表面淀积多晶硅的步骤。
3.根据权利要求2所述的浅沟槽隔离结构的凹陷区处理方法，其特征在于，还包括刻蚀所述多晶硅形成多晶硅栅的步骤。
4.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的凹陷区处理方法，其特征在于，所述在所述晶圆表面淀积氧化硅的步骤，是淀积高温氧化膜。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的浅沟槽隔离结构的凹陷区处理方法，其特征在于，所述在所述晶圆表面淀积氧化硅的步骤中，淀积的氧化硅厚度为所述凹陷区深度的40％以上。
6.根据权利要求5所述的浅沟槽隔离结构的凹陷区处理方法，其特征在于，所述厚度为所述凹陷区深度的40％～60％。
7.根据权利要求5所述的浅沟槽隔离结构的凹陷区处理方法，其特征在于，所述厚度为所述凹陷区深度的一半。
8.一种半导体元器件，包括衬底、衬底上的浅沟槽隔离结构、衬底的有源区表面上的栅氧化层、以及栅氧化层上的多晶硅栅，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构上表面在与有源区交界处形成有凹陷区，所述凹陷区内被氧化硅填充。
9.根据权利要8所述的半导体元器件，其特征在于，所述氧化硅是通过淀积工艺形成。
10.根据权利要9所述的半导体元器件，其特征在于，所述淀积工艺是淀积高温氧化膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
