[发明专利]阵列基板及其制备方法

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制备方法，属于显示技术领域，其可解决现有的薄膜晶体管的特性受有机发光二极管的光线影响，导致显示黑画面反白的问题。本发明的阵列基板包括基底，所述基底分为多个不同颜色的子像素，每个子像素包括驱动区、电容区和发光区，每个驱动区中设有至少一个薄膜晶体管；所述发光区中设有有机发光二极管，所述有机发光二极管下方设有与发光区所在子像素颜色对应的第一彩膜结构，所述薄膜晶体管下方设有第二彩膜结构，所述第二彩膜结构与至少一种颜色的第一彩膜结构同层设置。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法。

背景技术

现有技术中，底发射型有机发光二极管(OLED)显示面板的制备过程中，在制备薄膜晶体管(TFT)之前，通常会在基底上对应有源层的位置先形成遮光层，以防止光照对(TFT)的特性造成影响。

发明人发现，虽然遮光层可以避免外界光(来自显示面板以外的光)对TFT的影响，但是由于TFT要比OLED更靠近基底，也即OLED的位置比TFT的位置要高很多，OLED发出的光会在显示面板中扩散传播后会照射至TFT区域，影响TFT特性，导致显示面板进行显示时出现黑画面反白现象。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种可以减小有机发光二极管发出的管线对薄膜晶体管特性的影响的阵列基板。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括基底，所述基底分为多个不同颜色的子像素，每个子像素包括驱动区、电容区和发光区，每个驱动区中设有至少一个薄膜晶体管；所述发光区中设有有机发光二极管，所述有机发光二极管下方设有与发光区所在子像素颜色对应的第一彩膜结构，所述薄膜晶体管下方设有第二彩膜结构，所述第二彩膜结构与至少一种颜色的第一彩膜结构同层设置。

优选的，所述阵列基板为底发射型阵列基板；

所述第二彩膜结构下方，在对应薄膜晶体管的有源层的位置设有金属遮光层。

进一步优选的，所述薄膜晶体管均为顶栅型薄膜晶体管。

优选的，所述第二彩膜结构与红色的第一彩膜结构同层设置。

优选的，所述阵列基板为顶发射型阵列基板；

所述第一彩膜结构下方，在对应有机发光二极管的位置设有反光层。

优选的，每个所述驱动区中的薄膜晶体管包括一个驱动晶体管；

所述电容区中设有存储电容，所述存储电容包括第一极板和第二极板，其中第一极板与同子像素的有机发光二极管的阳极同层设置且相连，同时还与同子像素的驱动晶体管的漏极相连。

进一步优选的，所述有机发光二极管的阳极由氧化铟锡构成。

进一步优选的，所述存储电容从下至上依次包括第一极板、第二极板、第三极板，其中，所述第二极板与驱动晶体管的栅极同层设置，所述第三极板与同子像素的驱动晶体管的漏极同层设置且相连；

且第一极板与第二极板之间设有第一绝缘层，第二极板与第三极板之间设有第二绝缘层。

进一步优选的，所述有机发光二极管的发光层设于第二绝缘层上方；

在所述发光区中，第一绝缘层和第二绝缘层中设有第一过孔，所述有机发光二极管的发光层通过第一过孔与有机发光二极管的阳极连接。

解决本发明技术问题所采用的另一技术方案是一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板为上述任意一种阵列基板，所述制备方法包括：

在基底上对应薄膜晶体管和一种颜色的子像素中的有机发光二极管的位置采用一次构图工艺分别形成第二彩膜结构和第一彩膜结构的图形；