[发明专利]一种高迁移率晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 201711049874.6 | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109727853A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 童小东;张世勇;谭为;郑鹏辉;徐建星 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/335;H01L29/47 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质层 高迁移率晶体管 制备 光刻 沉积 退火 二维电子气 欧姆接触层 外延片表面 肖特基接触 台面 金属膜 可控性 再沉积 自对准 刻蚀 线宽 栅帽 剥离 金属 释放 优化 | ||
1.一种高迁移率晶体管的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
（1）准备一张具有二维电子气的外延片；
（2）在外延片的上表面的中心部分上形成光刻胶台面；
（3）在光刻胶台面和在外延片上表面的其他部分上沉积形成欧姆接触金属膜；
（4）在欧姆接触金属膜上沉积形成介质层一；
（5）将光刻胶台面及其上面的欧姆接触金属膜、介质层一进行剥离形成沟槽，然后退火形成欧姆接触层；
（6）在剥离后器件的上表面沉积形成介质层二；
（7）对介质二进行各向异性刻蚀，将沟槽底部的介质二刻蚀掉，同时将介质一上方的一定厚度的介质二刻蚀掉，最后在沟槽的侧壁形成一层侧墙；
（8）在沟槽及介质二的表面淀积肖特基接触金属，与沟槽的底部的外延片上表面形成肖特基接触，刻蚀或者剥离形成栅帽；
（9）最后释放介质层一、介质层二，得到高迁移率晶体管器件。
2.根据权利要求1所述的高迁移率晶体管的制备方法，其特征在于：步骤（1）中的外延片是氮化镓体系、或者砷化镓体系、或者磷化铟体系的外延片。
3.根据权利要求1所述的高迁移率晶体管的制备方法，其特征在于：步骤（3）中，所述介质层一为SiO2、SiN、多晶硅、有机物或者这四种材料的任意比例组合材料。
4.根据权利要求1所述的高迁移率晶体管的制备方法，其特征在于：步骤（6）中，所述介质层二为SiO2、SiN、多晶硅、有机物或者这四种材料的任意比例组合材料。
5.根据权利要求1所述的高迁移率晶体管的制备方法，其特征在于：步骤（7）中，所述刻蚀是用各向异性刻蚀的方式进行刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
