[发明专利]一种提升8英寸硅晶圆片几何参数的工艺有效
| 申请号： | 201711050770.7 | 申请日： | 2017-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN107855922B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 魏艳军;由佰玲;吕莹;武卫;徐荣清 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B37/10;B24B7/22;H01L21/02 |
| 代理公司： | 12211 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘莹 |
| 地址： | 300384 天津市滨海新区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提升 英寸 硅晶圆片 几何 参数 工艺 | ||
1.一种提升8英寸硅晶圆片几何参数的工艺，其特征在于：包括以下步骤：
(1)对硅晶圆片背面的表面进行清洁以改变抛光过程中机械作用强度；
(2)对清洗后的硅晶圆片进行滴蜡、甩蜡、贴片的动作，在贴片前会进行参考面方向的确认，确保后续加工的精准性；
(3)根据已确定的参考面方向进行粗研抛光，抛光过程中粗研抛光液参与其中，硅晶圆片与抛光布之间进行摩擦的同时进行化学腐蚀作用，以进行表面磨削，使硅晶圆片的表面平整度基本定型；其中，粗研抛光时间为25-35min,抛光盘转速为15-20r/min，抛光压力采用抛光压头自重和中心加压的方式进行，压头自重分配后为150-250g/cm3；抛光中心加压压强为50-100Kpa；抛光液流量为4-8l/min；
(4)将经过粗研抛光的产品在中研抛光液参与的同时进行中研抛光，通过机械化学作用对硅晶圆片表面的平整度做进一步微调；
(5)将经过中研抛光的产品进行精研抛光，也即使产品经过更加细致的抛光布及磨料粒径，在精抛光液参与的同时进行抛光修复，从而使硅晶圆片表面形成完美的抛光镜面。
2.根据权利要求1所述的提升8英寸硅晶圆片几何参数的工艺，其特征在于：步骤(1)中，对硅晶圆片背面的表面进行清洁的方式为在清洗液存在的同时刷洗。
3.根据权利要求2所述的提升8英寸硅晶圆片几何参数的工艺，其特征在于：步骤(1)刷洗过程中采用不易挥发且具有有效清洗污物的清洗液SC-1进行清洗。
4.根据权利要求1所述的提升8英寸硅晶圆片几何参数的工艺，其特征在于：步骤(3)中，粗研抛光液为美国杜邦公司生产的SR330抛光液。
5.根据权利要求1所述的提升8英寸硅晶圆片几何参数的工艺，其特征在于：步骤(4)中，中研抛光的工艺条件为：抛光时间为10-15min,抛光盘转速为10-20r/min，抛光压力采用抛光压头自重方式进行，压头自重分配后为50-100g/cm3；抛光中心加压压强为50-150Kpa；抛光液流量为4-8l/min。
6.根据权利要求1所述的提升8英寸硅晶圆片几何参数的工艺，其特征在于：步骤(4)中，中研抛光液为NP8030。
7.根据权利要求1或6所述的提升8英寸硅晶圆片几何参数的工艺，其特征在于：步骤(4)中，中研抛光液中含有一定量的NH4OH，添加质量浓度为0.05％-0.1％。
8.根据权利要求1所述的提升8英寸硅晶圆片几何参数的工艺，其特征在于：步骤(5)中，精抛光液为NP8040。
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