[发明专利]MEMS微推进器阵列芯片用寻址点火电路及制备方法

权利要求书

1.一种MEMS微推进器阵列芯片用寻址点火电路，其特征在于，包括衬底、金属引线和绝缘介质层；

所述金属引线和绝缘介质层均为多层布置，第一层金属引线设置在衬底上，第一层绝缘介质层沉积在第一层金属引线上方，第二层金属引线设置在第一层绝缘介质层上，第二层绝缘介质层沉积在第二层金属引线上方，重复上述布置方式，得到多层金属引线立体化布置的寻址点火电路；每一层绝缘介质层的厚度大于该绝缘介质层所覆盖的金属引线厚度；对每一层绝缘介质层的表面进行平坦化。

2.根据权利要求1所述的MEMS微推进器阵列芯片用寻址点火电路，其特征在于，绝缘介质层的材料为氮化硅、二氧化硅或者聚酰亚胺。

3.一种制备权利要求1所述MEMS微推进器阵列芯片用寻址点火电路的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，在衬底上布置换能元阵列和寻址电路母线；

步骤2，在衬底表面制作第一层图形化的金属引线；

步骤3，在第一层金属引线表面沉积/涂覆绝缘介质层；

步骤4，在绝缘介质层表面制作图形化的金属引线；

步骤5，在金属引线表面沉积/涂覆绝缘介质层；

步骤6，重复步骤4和步骤5，完成多层金属引线的立体化布置，每一层绝缘介质层的厚度大于该绝缘介质层所覆盖的金属引线厚度；

步骤3和步骤5中，对绝缘介质层表面进行平坦化。

4.根据权利要求3所示MEMS微推进器阵列芯片用寻址点火电路的制备方法，其特征在于，绝缘介质层的材料为氮化硅、二氧化硅或者聚酰亚胺。