[发明专利]非易失性存储器器件及其操作方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器器件的操作方法，所述方法包括：

执行将第一数据存储在第一参考单元中并且将与第一数据相反的第二数据存储在第二参考单元中的第一存储，所述第一参考单元连接到字线和第一参考位线并且所述第二参考单元连接到所述字线和第二参考位线；

在执行了所述第一存储之后将第一参考位线的电压与第二参考位线的电压进行比较，以确定第一数据和第二数据中的至少一个是否被异常存储在第一参考单元和第二参考单元中；以及

当确定第一数据和第二数据中的至少一个被异常存储在第一参考单元和第二参考单元中时，执行将第二数据存储在第一参考单元中并且将第一数据存储在第二参考单元中的第二存储。

2.根据权利要求1所述的方法，其中第一参考单元和第二参考单元中的每一个是磁随机存取存储器MRAM单元。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述MRAM单元包括磁隧道结元件，所述磁隧道结元件连接到n沟道金属氧化物半导体NMOS晶体管或使得NMOS晶体管和p沟道金属氧化物半导体PMOS晶体管彼此连接的传输门。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，响应于写使能信号执行所述第一存储。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将数据存储在与所述字线连接的存储器单元中；以及

对所述存储器单元执行正常读操作。

6.根据权利要求5所述的方法，其中执行所述正常读操作包括：

将所述第一参考位线和所述第二参考位线相连；以及

将所连接的第一参考位线和第二参考位线的电压与连接到所述存储器单元的位线的电压进行比较。

7.一种包括存储器单元阵列的非易失性存储器器件的操作方法，所述方法包括：

执行将第一数据比特存储在存储器单元阵列的第一参考单元和将具有与第一数据比特相反的逻辑值的第二数据比特存储在存储器单元阵列的第二参考单元中的第一存储，所述第一参考单元连接到字线和第一参考位线并且所述第二参考单元连接到所述字线和第二参考位线；

将第一参考位线的电压与第二参考位线的电压进行比较，以确定第一数据比特和第二数据比特中的至少一个是否被异常存储在第一参考单元和第二参考单元中；以及

当确定所述第一数据比特和所述第二数据比特中的至少一个被异常存储在第一参考单元和第二参考单元中时，执行将第二数据比特存储在第一参考单元中并且将第一数据比特存储在第二参考单元中的第二存储，

其中，所述第一存储包括：

通过第一写驱动器将与第一数据比特相对应的第一电压施加到数据线，并且通过第一选择电路将所述数据线连接到第一参考位线；以及

通过第二写驱动器将与第二数据比特相对应的第二电压施加到参考数据线，并且通过第二选择电路将所述参考数据线连接到第二参考位线，并且

其中，所述第二存储包括：

通过第一写驱动器将所述第二电压施加到所述数据线，并且通过第一选择电路将所述数据线连接到第一参考位线；以及

通过第二写驱动器将所述第一电压施加到参考数据线，并且通过第二选择电路将所述参考数据线连接到第二参考位线。

8.根据权利要求7所述的方法，其中第一参考单元和第二参考单元中的每一个是磁随机存取存储器MRAM单元。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一存储包括：分别在第一参考单元中存储数据“1”和在第二参考单元中存储数据“0”，以及

其中所述第二存储包括：分别在第一参考单元中存储数据“0”和在第二参考单元中存储数据“1”。

10.根据权利要求7所述的方法，还包括：

对所述存储器单元阵列的存储器单元执行正常读操作，

其中用于所述第一存储和所述第二存储的数据路径不同于用于正常读操作的数据路径。