[发明专利]模拟多路复用器

权利要求书

1.一种用于对能够具有比模拟多路复用器的上电源电压更高的电压电平的输入电压进行采样的模拟多路复用器，所述多路复用器包括：

多个输入开关电路，各输入开关电路耦合在相应的输入和第一或第二差分输出中一个之间，所述多个输入开关电路中的至少一个包括电平移动开关电路，被配置为对能够具有比所述上电源电压更高的电压电平的输入电压进行采样；和

耦合在第一和第二差分输出之间的短接开关电路，所述短接开关电路包括电容耦合的栅极驱动电路，并且被配置为在对所述输入电压进行采样之后将所述第一差分输出短接到所述第二差分输出。

2.权利要求1所述的模拟多路复用器，其中所述电平移动开关电路包括：

横向扩散场效应晶体管(LDFET)，耦合在相应的开关输入和第一差分输出之间；和

栅极驱动电路，耦合LDFET的栅极并且被配置为产生栅极控制信号，所述栅极驱动电路包括以级联配置耦合在一起并耦合所述上电源电压和相应的开关输入的多个电平移位器电路。

3.权利要求2所述的模拟多路复用器，其中所述多个输入开关电路中的至少一个包括：

第一LDFET，具有耦合第二LDFET的源极节点的源极节点，所述第一和第二LDFET各自具有耦合栅极驱动电路的栅极。

4.权利要求3所述的模拟多路复用器，其中所述多个输入开关电路中的至少一个还包括耦合所述第一和第二LDFET的源极节点的刷新电流源，并且被配置为在电压采样操作期间将电流脉冲产生到源极节点。

5.权利要求1所述的模拟多路复用器，其中所述短接开关电路包括：

第一LDFET，具有耦合第二LDFET的源极节点的源极节点；和

电容耦合的栅极驱动电路，耦合所述第一和第二LDFET的每个的栅极。

6.权利要求1所述的模拟多路复用器，还包括耦合所述第一和第二差分输出的模数转换器采样电路。

7.权利要求1所述的模拟多路复用器，还包括以串联配置耦合在一起的多个电池，其中所述电平移动开关电路耦合串联连接的电池中的端电池，并且每个剩余的输入开关电路在一对相邻电池之间或在多个电池中的最后一个电池处耦合相应的节点。

8.一种用于当第一和第二差分输出的每一个上的电压电平未知时将第一差分输出短接到第二差分输出的开关电路，所述开关电路包括：

多个横向扩散场效应晶体管(LDFET)，第一LDFET具有耦合第一电压节点的漏极和耦合第二LDFET的源极的源极，第二LDFET的漏极耦合第二电压节点；和

耦合第一和第二LDFET的栅极的栅极驱动电路，所述栅极驱动电路包括：

电压选择器电路，具有耦合所述第一和第二电压节点的输入；

电压降元件，耦合在电压选择器电路的输出和栅极输出之间；

控制信号，通过电容耦合栅极输出；和

耦合在栅极输出和供电节点之间的电流源。

9.权利要求8所述的开关电路，其中所述控制信号是具有0至5V范围内的电压的数字控制信号。

10.权利要求8所述的开关电路，其中所述电压降元件包括具有耦合电压选择器电路的输出的阳极和耦合栅极输出的阴极的二极管。

11.权利要求8所述的开关电路，其中所述电压选择器电路被配置为输出第一电压节点上的第一电压或第二电压节点上的第二电压的最低值。