[发明专利]晶体管显示板的制造方法和利用于该方法的研磨浆料在审
申请号: | 201711056935.1 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN108010878A | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 秋秉权;朴珍亨;姜秉薰;金光淑;裴俊和;曹雨辰;赵玹辰;千俊赫 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司;优备材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12;C09K3/14 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 孙昌浩;李盛泉 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体管 显示 制造 方法 利用 研磨 浆料 | ||
本公开涉及一种晶体管显示板的制造方法和利用于该方法的研磨浆料。一实施例包括如下的步骤:在基板上形成半导体层;对所述半导体层进行图案化而形成有源层;形成覆盖所述基板和所述有源层的第一绝缘膜;研磨所述第一绝缘膜而暴露所述有缘层;形成覆盖所述第一绝缘膜和所述有缘层的第二绝缘膜,其中,研磨所述第一绝缘膜而暴露所述有缘层的步骤利用研磨浆料执行,所述研磨浆料包括研磨粒子、分散剂、分散稳定剂、非离子型研磨抑制剂和pH调节剂。
技术领域
本发明涉及一种晶体管显示板的制造方法和利用于该方法的研磨浆料。
背景技术
包含晶体管的基板在晶体管显示装置在等离子显示装置、液晶显示装置或发光显示装置等当中,作为用于体现使显示装置的各个像素工作的驱动电路的手段而得到利用。
上述的晶体管包括形成于基板上的有源层以及用于覆盖所述基板和有源层的绝缘膜。在这种绝缘膜的沉积工艺中,覆盖有源层的绝缘膜的上部面和覆盖基板的绝缘膜的上部面之间具有厚度差,即阶梯差。如上所述,如果绝缘膜具有阶梯差,则形成于绝缘膜上的栅极的阈值电压分布(threshold voltage distribution)会增加,因此晶体管显示板的特性会降低。
发明内容
本公开的实施例旨在提供一种能够通过去除绝缘膜的阶梯差而提高晶体管显示板的显示品质的晶体管显示板的制造方法和利用于该方法中的研磨浆料。
根据本公开的一实施例的晶体管显示板的制造方法可包括如下的步骤:在基板上形成半导体层;对所述半导体层进行图案化而形成有源层;形成覆盖所述基板和所述有源层的第一绝缘膜;研磨所述第一绝缘膜而暴露所述有缘层;形成覆盖所述第一绝缘膜和所述有缘层的第二绝缘膜,并且,研磨所述第一绝缘膜而暴露所述有缘层的步骤可利用研磨浆料执行,所述研磨浆料包括研磨粒子、分散剂、分散稳定剂、非离子型研磨抑制剂和pH调节剂。
形成所述第一绝缘膜的步骤可按如下方式执行:使所述第一绝缘膜包括覆盖所述基板的第一部分和覆盖所述有源层的第二部分。
研磨所述第一绝缘膜而暴露所述有源层的步骤可按如下方式执行:使所述第一部分的研磨率和所述第二部分的研磨率之比为1:5以下。
研磨所述第一绝缘膜而暴露所述有源层的步骤可按如下方式执行:使所述第一绝缘膜和所述有源层具有相同的厚度。
在此,所述有源层和所述第二绝缘膜可直接接触。
根据本公开的一实施例的研磨浆料,使用于所述晶体管显示板的制造方法,可包括:研磨粒子;分散剂,包括阴离子型高分子、阳离子型高分子、羟基酸和氨基酸中的至少一种;分散稳定剂,包括具有羧基的有机酸;非离子型研磨抑制剂;以及pH调节剂。
所述研磨粒子可以为选自由湿式二氧化铈、干式二氧化铈、二氧化硅、氧化铝、氧化锆和二氧化钛组成的群中的一种以上。
所述研磨粒子的晶体结构可以是多面体(polyhedral)结构或者边角圆滑(round)的结构。
所述研磨粒子的平均粒径可以是40nm至150nm。
所述研磨粒子的含量可相对于研磨浆料整体重量占0.1重量%至10重量%。
所述阴离子型高分子可以是选自由草酸、柠檬酸、聚磺酸、聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸、它们的共聚物及其盐组成的群中的一种以上。
所述分散剂的含量可相对于研磨浆料整体重量占0.003重量%至0.06重量%。
所述分散稳定剂可以是选自由中性氨基酸、酸性氨基酸和碱性氨基酸组成的群中的一种以上,所述中性氨基酸包括丙氨酸、甘氨酸、酪氨酸和缬氨酸中的至少一种,所述酸性包括天冬氨酸和谷氨酸中的至少一种,所述碱性氨基酸包括柠檬酸和赖氨酸中的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造