[发明专利]一种干法打砂清洗工艺有效
申请号: | 201711057486.2 | 申请日: | 2017-11-01 |
公开(公告)号: | CN109755100B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 黄志焕;李亚哲;徐长坡;陈澄;梁效峰;杨玉聪;王晓捧;王宏宇;王鹏 | 申请(专利权)人: | 天津环鑫科技发展有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;B08B3/12;B08B3/08 |
代理公司: | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人: | 栾志超 |
地址: | 300380 天津市西青区*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 干法打砂 清洗 工艺 | ||
本发明提供一种干法打砂清洗工艺,包括依次进行以下步骤:S1:对打砂后的硅片进行超声清洗;S2:对超声清洗后的硅片进行超声后处理;S3:对超声后处理的硅片进行清洗剂清洗。本发明的有益效果是由于采用上述技术方案,使得硅片在干法打砂后进行清洗更加方便快捷,清洗效率高,采用超声清洗,将干法打砂后硅片表面的杂质清洗干净,超声清洗后采用硅刻蚀液或氢氟酸进行清洗,对硅片表面进行腐蚀,去除硅片表面因机械应力造成的应力损伤层,去除硅片表面的颗粒杂质,采用清洗剂清洗,将腐蚀后的硅片表面的杂质清洗干净,使得硅片表面清洁度达到生产规格要求。
技术领域
本发明属于硅片生产技术领域,尤其是涉及一种干法打砂清洗工艺。
背景技术
随着半导体技术的发展,对半导体表面钝化的要求越来越高,作为钝化材料,应具备良好的电气性能、可靠性、良好的化学稳定性、可操作性以及经济性。根据上述要求,半导体钝化专用玻璃作为一种较为理想的半导体钝化材料在半导体行业中开始应用。利用半导体钝化专用玻璃制作的芯片称为玻璃钝化芯片(Glass passivation process Chip),即GPP芯片。
生产GPP芯片的硅片在扩散后要进行干法打砂去除扩散后硅片表面的玻璃,在进行干法打砂后要进行清洗,将表面的颗粒杂质清洗干净,同时要去除白面的机械应力损伤层,在硅片清洗领域,现在进行硅片干法打砂后清洗是采用的HF进行清洗,由于HF是弱酸,又因其能和表面自身氧化膜起反应而使硅片表面呈疏水性,归纳起来有以下几个缺点:1.弱酸HF不能有效去除Na、K、Ca、Mg、Zn、Al等较活泼金属;2.经过HF清洗后的硅片表面呈疏水性而不能成为理想的表面,其表面比较活泼而容易吸附颗粒杂质等,而HF本身和这些金属及其化合物反应能力较弱,容易造成二次污染,且氢氟酸不能有效去除硅片经过干法打砂后形成的机械应力损伤层,影响硅片的使用性能。
发明内容
鉴于上述问题,本发明要解决的问题是提供一种干法打砂清洗工艺,尤其适合生产GPP芯片的硅片使用,对经过干法打砂后的硅片进行清洗,依次采用采用超声波清洗和清洗剂清洗,将干法打砂后硅片表面的杂质清洗干净,保证硅片表面的清洁度达到生产规格的要求,为下一步工序做好准备。
为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:一种干法打砂清洗工艺,包括依次进行以下步骤:
S1:对打砂后的硅片进行超声清洗;
S2:对超声清洗后的硅片进行超声后处理;
S3:对超声后处理的硅片进行清洗剂清洗。
进一步的,步骤S2中的对超声清洗后的硅片进行超声后处理包括以下步骤:
S21:超声溢水清洗;
S22:纯水清洗;
S23:腐蚀液处理;
S24:纯水清洗。
进一步的,腐蚀液处理为酸处理或硅刻蚀液处理。
进一步的,对于磷扩散硅片超声后处理的腐蚀液处理为酸处理,对于硼磷扩散硅片超声后处理的腐蚀液处理为硅刻蚀液处理。
进一步的,酸处理为氢氟酸处理。
进一步的,的纯水清洗为两级纯水清洗。
进一步的,S3步骤中的对超声后处理的硅片进行清洗剂清洗具体包括以下步骤:
S31:配置DZ-1、DZ-2清洗剂;
S32:DZ-1清洗进行清洗;
S33:热纯水清洗;
S34:DZ-2清洗剂进行清洗;
S35:热纯水清洗;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造