[发明专利]使用中性镀锡液的滚镀或高速旋转电镀

说明书

一种对电子组件进行滚镀或高速旋转电镀的方法，和其中使用的中性镀锡液。使用包括(A)亚锡离子、(B)酸或盐、(C)络合剂和(D)具有聚氧亚烷基链的二胺并且pH值在4与8之间的范围内的电镀液。使用此中性镀锡液能够防止电子组件在滚镀期间连接在一起，从而实现滚镀可制造性的改善。

技术领域

本发明涉及一种使用中性镀锡液对电子组件进行滚镀或高速旋转电镀的方法，并涉及其中使用的中性镀锡液。更具体地说，其涉及一种滚镀或高速旋转电镀方法，并涉及其中使用的中性镀锡液，所述中性镀锡液能够提高电镀在电子组件上的覆盖率，同时防止电子组件在进行滚镀或高速旋转电镀时彼此连接。

背景技术

为了提高电子组件的可焊性，广泛地进行镀锡。电子组件镀锡的方法可以选自各种不同的方法，如滚镀、挂镀等，取决于电镀位置的形状、结构等。滚镀通常用作如片式电阻、片式电容器等小电子组件电镀的方法。此外，近年来，已经通过导流电镀器等进行高速旋转电镀，作为小电子组件的电镀方法。

通常，在进行滚镀时，将待电镀的电子组件和用于在电镀期间提高导电性的导电金属(虚设球)装载到称为滚筒的笼形容器中，并通过在使滚筒以其浸没于电镀液中的状态旋转或振动时施加电流来电镀电子组件。然而，近年来，随着电子组件的尺寸越来越小，在滚镀期间，电子组件往往会彼此连接，或虚设球结块在一起，或电子组件和虚设球粘在一起，从而产生了在滚镀时对电子组件的可制造性造成不良影响的问题。此外，视电镀液的类型而定，溶液表面可能起泡，从而产生了对电镀操作造成不良影响的问题。在高速旋转电镀中，将作为电镀对象的电子组件插入到圆盘形单元中，并在使单元以高速旋转的同时进行电镀，并可能发生与滚镀时相同的问题。

日本未审查专利申请公开案2009-299123公开了一种pH值为1或更低的片式组件的锡电镀液，包括亚锡离子、氧、二聚氧亚烷基烷基胺或氧化胺和结合抑制剂。然而，在插入作为电镀对象的电子组件陶瓷部件时，pH值为1或更低的电镀液的使用损坏了陶瓷部件，这并非优选的。

日本未审查专利申请公开案2003-293186公开了一种中性镀锡浴，包括可溶性亚锡盐、酸或盐、选自氧基羧酸等的络合剂和季胺聚合物。然而，在本发明人的研究中，使用季胺聚合物的中性镀锡液并不足够有效地防止电镀对象之间的连接，并且需要进一步改善。

发明内容

因此，本发明的目的是即使在对近年来已经小型化的电子组件进行滚镀或高速旋转电镀时也能够抑制电子组件之间的连接，提供一种电子组件电镀方法和其中使用的中性镀锡液，其中在进行滚镀或高速旋转电镀时电镀液极少起泡。

本发明人通过以下发现实现了本发明：通过防止电镀对象连接在一起，以及通过电镀液中极少起泡，通过将具有聚氧亚烷基链的二胺加入中性镀锡液，可以提高滚镀或高速旋转电镀的可制造性。

也就是说，本发明的一个方面提供了一种电子组件滚镀或高速旋转电镀方法，所述方法包括使用包括(A)亚锡离子、(B)酸或盐、(C)络合剂和(D)包括聚氧亚烷基链的二胺并且pH值在4与8之间的范围内的镀锡液对电子组件进行滚镀或高速旋转电镀的步骤。

此外，本发明的一个方面提供了一种用于滚镀或高速旋转电镀的中性镀锡液，所述中性镀锡液包括(A)亚锡离子、(B)酸或盐、(C)络合剂和(D)包括聚氧亚烷基链的二胺，并且其中pH值在4与8之间的范围内。

具体实施方式

除非另外定义，否则在整个说明书中所使用的缩写具有以下含义∶g＝克；mg＝毫克；℃＝摄氏度；min＝分钟；m＝米；cm＝厘米；L＝升；mL＝毫升；A＝安培；以及dm²＝平方分米。所有数值均包括其边界值，并可以以任意排序组合。在整个本说明书中，术语“电镀液”和“电镀浴”具有相同含义，并可以互换使用。此外，除非特别规定，否则在整个说明书中，百分比(％)表示重量百分比。