[发明专利]一种硅片的玻璃烧成工艺在审
| 申请号： | 201711057812.X | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN109755124A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 王晓捧;王宏宇;梁效峰;钟瑜;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/67 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300380 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 烧成 玻璃 烧成工艺 预烧 影响半导体 后续工艺 升温过程 涂覆玻璃 电极面 内玻璃 浆料 定型 流动 | ||
1.一种硅片的玻璃烧成工艺，其特征在于：包括对涂覆玻璃浆料后的硅片依次进行预烧成和烧成，所述预烧成包括：第一步、将硅片升温至100-300℃并保持一段时间，第二步、将所述硅片由100-300℃升温至500-600℃并保持一段时间，所述烧成包括：第一步、将所述硅片由500-600℃升温至600-700℃并保持一段时间，第二步、将所述硅片由600-700℃升温至750-850℃并保持一段时间。
2.根据权利要求1所述的玻璃烧成工艺，其特征在于：在所述预烧成的过程中通入氧气。
3.根据权利要求1或2所述的玻璃烧成工艺，其特征在于：在所述烧成的过程中通入氧气。
4.根据权利要求1-3任一所述的玻璃烧成工艺，其特征在于：所述预烧成中第一步中将所述硅片升温至100-300℃后保持10-30min。
5.根据权利要求1-4任一所述的玻璃烧成工艺，其特征在于：所述预烧成中第二步中将所述硅片由100-300℃升温至500-600℃后保持10-30min。
6.根据权利要求1-5任一所述的玻璃烧成工艺，其特征在于：所述烧成还包括第三步、将所述硅片由750-850℃降温至500-600℃并保持一段时间。
7.根据权利要求6所述的玻璃烧成工艺，其特征在于：所述第三步中降温速率为2-3℃/min。
8.根据权利要求1-7任一所述的玻璃烧成工艺，其特征在于：所述烧成中第一步中将所述硅片由500-600℃升温至600-700℃后保持10-20min。
9.根据权利要求1-8任一所述的玻璃烧成工艺，其特征在于：所述烧成中第二步中将所述硅片由600-700℃升温至750-850℃后保持10-20min。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津环鑫科技发展有限公司，未经天津环鑫科技发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711057812.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
