[发明专利]成膜方法

权利要求书

1.一种成膜方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)提供一第一边界最小重叠环(1)，所述第一边界最小重叠环包括第一环形主体(11)，所述第一环形主体(11)具有位于所述第一环形主体内侧的第一环形阻挡区域(12)及位于所述第一环形阻挡区域内侧的上下贯通的第一开口(13)，其中，所述第一环形阻挡区域内形成有若干个沿其轴向间隔排布的通孔(14)；

2)提供一晶圆(3)，将所述晶圆置于所述第一边界最小重叠环的下方，所述晶圆的边缘延伸至所述第一环形阻挡区域的下方，且所述第一开口暴露出所述晶圆的上表面；于所述晶圆的上表面形成初始膜层(41)，所述初始膜层覆盖所述晶圆位于所述第一开口内的上表面及位于所述第一环形阻挡区域下方的边缘区域；

3)提供一第二边界最小重叠环(2)，所述第二边界最小重叠环包括第二环形主体(21)，所述第二环形主体具有位于所述第二环形主体内侧的第二环形阻挡区域(22)及位于所述第二环形阻挡区域内侧的上下贯通的第二开口(23)；其中，所述第二环形阻挡区域沿其周向未设有通孔；

4)将表面形成有所述初始膜层的晶圆置于所述第二边界最小重叠环的下方，所述晶圆的边缘延伸至所述第二环形阻挡区域的下方，且所述第二开口暴露出所述初始膜层的上表面；于所述初始膜层的上表面形成主体膜层(42)；其中，所述初始膜层和所述主体膜层共同构成所需膜层(4)。

2.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：在所述步骤4)之后还包括对所完成所述步骤4)的晶圆上表面进行化学机械研磨抛光的工艺以使所述主体膜层表面平整。

3.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：在所述步骤4)之后还包括对完成所述步骤4)的晶圆上表面进行刻蚀的工艺以使所述主体膜层表面平整。

4.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：所述通孔的中心至所述第一边界最小重叠环内径边缘的距离为选自于由1.25mm、1.75mm和2.25mm所构成群组的其中之一。

5.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：所述膜层包括选自于由钨膜、铝膜、钛膜、钽膜、铂膜、铜膜和钼膜所构成群组的其中之一膜层或上述膜层的组合。

6.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：所述步骤2)中，所述第一边界最小重叠环通过一固定销套件(7)的固定悬空于所述晶圆上；步骤4)中，所述第二边界最小重叠环通过另一固定销套件的固定悬空于所述晶圆上。

7.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：步骤2)中，于所述晶圆的上表面形成所述初始膜层的过程中，还包括自所述第一环形阻挡区域下方通入清洁气体进行清洁的步骤。

8.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：步骤4)中，于所述晶圆的上表面形成所述主体膜层的过程中，还包括自所述第二环形阻挡区域下方通入清洁气体进行清洁的步骤。

9.如权利要求7或8所述的成膜方法，其特征在于：所述清洁气体包括氮气或惰性气体。

10.如权利要求1至8中任一项所述的成膜方法，其特征在于：所述第一边界最小重叠环及所述第二边界最小重叠环均为陶瓷环。

11.如权利要求1所述的成膜方法，其特征在于：所述主体膜层的厚度大于所述初始膜层的厚度，且所述主体膜层对应于所述第二开口部分的厚度大于所述主体膜层对应于所述第二环形阻挡区域下方部分的厚度。