[发明专利]一种分栅结构的功率晶体管

权利要求书

1.一种分栅结构的功率晶体管，其特征在于，包括：

n型漏区以及位于所述n型漏区之上的n型漂移区；

凹陷在所述n型漂移区内的至少两个沟槽，所述沟槽包括上部沟槽和下部沟槽，所述下部沟槽的开口位于所述上部沟槽的底部；

位于所述n型漂移区内且介于相邻的所述上部沟槽之间的p型体区，所述p型体区内设有p型体区接触区、第一n型源区和第二n型源区；

位于所述p型体区接触区之上的导电层，所述导电层与所述p型体区接触区形成体区接触二极管结构，其中所述导电层为所述体区接触二极管结构的阴极，所述p型体区接触区为所述体区接触二极管结构的阳极；

覆盖所述上部沟槽的靠近所述第一n型源区一侧的侧壁表面的栅介质层和第一栅极，所述第一栅极通过栅极电压来控制所述第一n型源区和所述n型漂移区之间的第一电流沟道的开启和关断；

覆盖所述上部沟槽的靠近所述第二n型源区一侧的侧壁表面的栅介质层和第二栅极；

位于所述下部沟槽内的场氧化层和第三栅极，所述第一n型源区、第二n型源区、第二栅极、第三栅极、导电层之间电性连接并均接源极电压，所述第二栅极通过源极电压来控制所述第二n型源区和所述n型漂移区之间的第二电流沟道的开启和关断。

2.如权利要求1所述的一种分栅结构的功率晶体管，其特征在于，所述第一电流沟道的开启电压大于所述第二电流沟道的开启电压。

3.如权利要求1所述的一种分栅结构的功率晶体管，其特征在于，所述导电层为位于所述p型体区之上的源极金属接触层，所述p型体区接触区的掺杂浓度低于所述p型体区的掺杂浓度的最大峰值，所述p型体区接触区与所述源极金属接触层形成肖特基势垒二极管结构。

4.如权利要求3所述的一种分栅结构的功率晶体管，其特征在于，所述第一n型源区、第二n型源区、第二栅极、第三栅极均通过所述源极金属接触层外接源极电压。

5.如权利要求1所述的一种分栅结构的功率晶体管，其特征在于，所述导电层为位于所述p型体区之上的n型多晶硅层，所述n型多晶硅层与所述p型体区接触区形成硅基的体区接触二极管结构。

6.如权利要求5所述的一种分栅结构的功率晶体管，其特征在于，所述n型多晶硅层与所述第一n型源区、第二n型源区、第二栅极、第三栅极直接接触连接，所述n型多晶硅层通过源极金属接触层外接源极电压。

7.如权利要求1所述的一种分栅结构的功率晶体管，其特征在于，所述导电层为位于所述p型体区内的n型掺杂区，所述n型掺杂区与所述p型体区接触区形成硅基的体区接触二极管结构。

8.如权利要求7所述的一种分栅结构的功率晶体管，其特征在于，所述第二栅极、第三栅极、n型掺杂区、第一n型源区、第二n型源区均通过源极金属接触层外接源极电压。

9.如权利要求1所述的一种分栅结构的功率晶体管，其特征在于，所述下部沟槽的开口宽度小于所述上部沟槽的开口宽度。

10.如权利要求1所述的一种分栅结构的功率晶体管，其特征在于，所述下部沟槽内的第三栅极向上延伸至所述上部沟槽内，所述第三栅极在所述上部沟槽区域内通过绝缘介质层与所述第一栅极、第二栅极隔离。