[发明专利]一种焦硅酸盐长余辉发光材料及制备方法有效

专利信息
申请号: 201711058128.3 申请日: 2017-11-01
公开(公告)号: CN107903892B 公开(公告)日: 2020-03-31
发明(设计)人: 海鸥;任强;武秀兰;焦叶辉;林飞;白文妮 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C09K11/64 分类号: C09K11/64
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 韩玙
地址: 710021 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 硅酸盐 余辉 发光 材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种焦硅酸盐长余辉发光材料,其特征在于,焦硅酸盐长余辉发光材料的化学表达式为Sr6-x-yAl2Si6O21:xEu2+,yR,其中,R为Pr3+,0.03≤x≤0.18,0.03≤y≤0.3。

2.一种焦硅酸盐长余辉发光材料的制备方法,其特征在于,焦硅酸盐长余辉发光材料的化学表达式为Sr6-x-yAl2Si6O21:xEu2+,yR,其中,R为Pr3+,0.03≤x≤0.18,0.03≤y≤0.3;具体按照以下步骤实施:

步骤1、称取原料,确定x和y的值,确定R,并且按化学表达式Sr6-x-yAl2Si6O21:xEu2+,yR要求的摩尔比称取SrCO3、SiO2、Al2O3、Eu2O3和R的氧化物,其中R为Pr3+

步骤2,将步骤1称取的原料混合均匀后研磨30~60min,得到混合原料;

步骤3,将步骤2中得到的混合原料放入压片机中进行压制,制得压制片;

步骤4,将步骤3中得到的压制片烧结,烧结完成后随炉冷却;

步骤5,步骤4完成后,将压制片进行研磨,得到焦硅酸盐长余辉发光材料Sr6-x-yAl2Si6O21:xEu2+,yR。

3.根据权利要求2所述的一种焦硅酸盐长余辉发光材料的制备方法,其特征在于,所述步骤1中R的氧化物为Pr6O11

4.根据权利要求2所述的一种焦硅酸盐长余辉发光材料的制备方法,其特征在于,所述步骤3压制时,压片机的压强为10Mpa-50Mpa。

5.根据权利要求2所述的一种焦硅酸盐长余辉发光材料的制备方法,其特征在于,所述步骤4烧结在管式炉中进行,烧结的过程中向管式炉中通入还原性气氛。

6.根据权利要求5所述的一种焦硅酸盐长余辉发光材料的制备方法,其特征在于,所述还原性气氛为Ar-H2混合气体,其中,Ar和H2的体积比为9:1。

7.根据权利要求2所述的一种焦硅酸盐长余辉发光材料的制备方法,其特征在于,步骤4中烧结温度为1000℃~1300℃,烧结的时间为2h-4h。

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