[发明专利]改进的射频低噪声放大器负载电路

权利要求书

1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括：

跨导体放大器，所述跨导体放大器是包括两个并联支路的差分放大器；以及

连接到所述跨导体放大器的负载，其中所述负载包括无源偏置的负载晶体管以及第三电阻器和第四电阻器；所述负载包括两个并联支路，所述第四电阻器包括第一电阻器和第二电阻器，所述负载的第一支路包括所述第一电阻器偏置的第一负载晶体管，所述负载的第二支路包括所述第二电阻器偏置的第二负载晶体管，以及所述第一和第二电阻器的结合点直接连接到所述第一负载晶体管的栅极和所述第二负载晶体管的栅极；其中

所述第四电阻器，连接到所述负载晶体管的栅极和漏极以提供无源偏置；

所述第三电阻器第一端连接到所述负载晶体管的栅极，所述第三电阻器的第二端连接到电压电位；所述第一电阻器的阻值=所述第二电电阻器的阻值=1/2所述第三电阻器的阻值；

所述差分放大器的所述两个并联支路包括第一放大器支路和第二放大器支路，每个放大器支路包括串联连接的第一晶体管、第二晶体管和第一电感器。

2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器进一步包括直流电DC偏置电路，所述DC偏置电路包括：

偏置晶体管；

耦合到所述偏置晶体管的电流源极；以及

串联连接到所述第一晶体管的栅极和所述偏置晶体管的栅极之间的第五电阻器。

3.根据权利要求1或2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述电压电位是地电位。

4.一种无线接收器，其特征在于，包括：

混频器；以及

连接所述混频器的低噪声放大器，其中所述低噪声放大器包括：

跨导体放大器，所述跨导体放大器是包括两个并联支路的差分放大器；以及

耦合到所述跨导体放大器的负载，其中所述负载包括无源偏置的负载晶体管以及第三电阻器和第四电阻器；所述负载包括两个并联支路，所述第四电阻器包括第一电阻器和第二电阻器，所述负载的第一支路包括所述第一电阻器偏置的第一负载晶体管，所述负载的第二支路包括所述第二电阻器偏置的第二负载晶体管，以及所述第一和第二电阻器的结合点连接到所述第一负载晶体管的栅极和所述第二负载晶体管的栅极；其中

所述第四电阻器，连接到所述负载晶体管的栅极和漏极以提供无源偏置；

所述第三电阻器第一端连接到所述负载晶体管的栅极，所述第三电阻器的第二端连接到电压电位，所述第一电阻器的阻值=所述第二电电阻器的阻值=1/2所述第三电阻器的阻值；

所述差分放大器的所述两个并联支路包括第一放大器支路和第二放大器支路，每个放大器支路包括串联连接的第一晶体管、第二晶体管和第一电感器。

5.根据权利要求4所述的无线接收器，其特征在于，所述放大器电路进一步包括直流电DC偏置电路，所述DC偏置电路包括：

偏置晶体管；

耦合到所述偏置晶体管的电流源极；以及

串联连接到所述第一晶体管的栅极和所述偏置晶体管的栅极之间的第五电阻器。

6.根据权利要求4或5所述的无线接收器，其特征在于，所述电压电位是地电位。

7.根据权利要求4或5所述的无线接收器，其特征在于，所述低噪声放大器通过电容耦合到所述混频器。

8.根据权利要求7所述的无线接收器，其特征在于，所述跨导体放大器用于：

接收射频RF电压信号；以及

基于所述RF电压信号提供RF电流信号给所述混频器。