[发明专利]一种减少电泳法玻璃钝化工艺玻璃点的方法在审
| 申请号： | 201711059154.8 | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN109755103A | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 王晓捧;史丽萍;梁效峰;张庆东;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;王宏宇;王鹏 | 申请（专利权）人： | 天津环鑫科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300380 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 玻璃钝化 工艺玻璃 电泳法 混酸 清洗 产品外观 混合溶液 冰乙酸 不接触 氢氟酸 体积比 硝酸 涂胶 | ||
【权利要求书】：
1.一种减少电泳法玻璃钝化工艺玻璃点的方法，其特征在于：包括在对硅片进行氧化之前使用混酸对所述硅片进行清洗，所述混酸为体积比为硝酸：氢氟酸：冰乙酸：水为4-8:1-3:1-3:1-5的混合溶液。
2.根据权利要求1所述的减少电泳法玻璃钝化工艺玻璃点的方法，其特征在于：还包括在对所述硅片进行氧化之后涂胶之前转移所述硅片的过程中不接触所述硅片的表面。
3.根据权利要求1或2所述的减少电泳法玻璃钝化工艺玻璃点的方法，其特征在于：对所述硅片使用混酸清洗5-30s。
4.根据权利要求1-3任一所述的减少电泳法玻璃钝化工艺玻璃点的方法，其特征在于：在对所述硅片进行混酸清洗之前还将所述硅片放入水中超声清洗。
5.根据权利要求1-4任一所述的减少电泳法玻璃钝化工艺玻璃点的方法，其特征在于：在对所述硅片进行混酸清洗之后还使用水清洗所述硅片。
6.根据权利要求2所述的减少电泳法玻璃钝化工艺玻璃点的方法，其特征在于：转移所述硅片时拿取硅片的两端。
7.根据权利要求4所述的减少电泳法玻璃钝化工艺玻璃点的方法，其特征在于：在对所述硅片进行混酸清洗之前将所述硅片放入水中超声清洗2-6min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
