[发明专利]气隙栅极侧壁间隔件及方法

权利要求书

1.一种形成集成电路结构的方法，该方法包含：

在沟道区域形成与半导体本体相邻的栅极，该沟道区域横向定位于源极/漏极区域之间，而该栅极具有牺牲性栅极盖与牺牲性栅极侧壁间隔件；

在该源极/漏极区域上形成具有塞盖的金属栓塞，该金属栓塞横向定位且紧紧相邻于该牺牲性栅极侧壁间隔件；

蚀刻该牺牲性栅极盖与该牺牲性栅极侧壁间隔件以创造具有下部部分及上部部分的空穴，该空穴的该下部部分曝露该栅极的侧壁和该金属栓塞，而该空穴的该上部部分位于该空穴的该下部部分上方及曝露该栅极的顶面；

沉积第一介电质层进入该空穴，使得多个气隙建立在该空穴的该下部部分中且在该栅极的该侧壁与该金属栓塞之间以及使得该第一介电质层衬在该空穴的该上部部分，该第一介电质层的水平部分在该栅极的该顶面上方且与该栅极的该顶面紧紧相邻，而该第一介电质层的垂直部分在该多个气隙上方且横向定位与该塞盖相邻；以及

在沉积该第一介电质层进入该空穴之后，沉积第二介电质层于该第一介电质层的该水平部分上且在该第一介电质层的该垂直部分之间以填补该空穴的该上部部分。

2.如权利要求1所述的方法，该牺牲性栅极盖和该牺牲性栅极侧壁间隔件的蚀刻在曝露该半导体本体的顶面之前停止。

3.如权利要求1所述的方法，该栅极包含替代金属栅极，而该牺牲性栅极盖与该牺牲性栅极侧壁间隔件包含氮化硅。

4.如权利要求1所述的方法，还包含：

该第一介电质层、该第二介电质层以及该塞盖包含三种不同的介电质材料。

5.如权利要求4所述的方法，该第一介电质层包含碳氧化硅，该第二介电质层包含氮化硅，以及该塞盖包含氧化硅。

6.如权利要求4所述的方法，还包含：

从该塞盖上方移除该第一介电质层和该第二介电质层；

在该塞盖上方形成层间介电质层，与其紧紧相邻，并在该空穴上方进一步横向延伸；以及

形成栅极接点，包含：

形成栅极接点开口，其在该栅极上方对准并延伸穿过该层间介电质层至该第二介电质层；

延伸该栅极接点开口穿过该第二介电质层到该第一介电质层；

延伸该栅极接点开口穿过该第一介电质层到该栅极，穿过该第一介电质的该栅极接点开口的延伸包含执行选择性非等向性蚀刻工艺，其从该栅极的顶面移除该第一介电质层的水平部分，并在该气隙上方完整地留下该第一介电质层的垂直区段，以创造一种包含下气隙段和在该下气隙段上方的上实心段的介电质间隔件；以及

以金属填补该栅极接点开口以形成该栅极接点。

7.如权利要求6所述的方法，该栅极接点的形成包含形成该栅极接点落在与主动区域相邻的该栅极上。