[发明专利]一种降低高压直流分裂导线表面电场的导线配置方法及系统有效

专利信息
申请号: 201711059955.4 申请日: 2017-11-01
公开(公告)号: CN108009312B 公开(公告)日: 2022-12-02
发明(设计)人: 刘元庆;张喜润;陆家榆;李文昱;高晨光;白锋 申请(专利权)人: 中国电力科学研究院有限公司;国家电网公司
主分类号: G06F30/20 分类号: G06F30/20;G06F30/23;H02G1/02;G06F113/16
代理公司: 北京工信联合知识产权代理有限公司 11266 代理人: 郭一斐
地址: 100192 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 降低 高压 直流 分裂 导线 表面 电场 配置 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种降低高压直流分裂导线表面电场的导线配置方法,所述方法包括:

确定圆形高压直流分裂导线中子导线的根数以及所述子导线的排列方式;

选择所述分裂导线中表面场强最大的子导线和与之对称的子导线做为更大截面的子导线;所述子导线中部分子导线为更大截面的子导线,所述更大截面的子导线的排列方式为对称分布;

预设所述更大截面的子导线的基础半径,并逐步增加所述基础半径,获取多个更大截面的子导线的半径;所述更大截面的子导线的半径与非更大截面的子导线的半径比不超过1.1;

根据所述多个更大截面的子导线的半径,建立对应的双极导线模拟线路的物理模型;

根据所述物理模型,计算所述分裂导线中子导线最大表面场强的最大值和最小值;计算每根子导线的最大表面场强的方法包括:逐次镜像法、有限元法、模拟电荷法、近似公式法;

计算所述分裂导线中子导线最大表面场强的最大值与最小值的比值,所述比值最小时对应的所述更大截面的子导线的半径,做为所述子导线中配置的更大截面的子导线的半径。

2.根据权利要求1所述的方法,当所述分裂导线中的子导线的根数为8时,将所述子导线中正极表面场强最大的子导线和与之对称的子导线、负极表面场强最大的子导线和与之对称的子导线做为更大截面的子导线。

3.根据权利要求1所述的方法,当所述分裂导线中的子导线的根数为8时,所述更大截面的子导线的半径为非更大截面的子导线半径的1.02倍。

4.一种降低高压直流分裂导线表面电场的导线配置系统,所述系统包括:

排列单元,确定圆形高压直流分裂导线中子导线的根数以及所述子导线的排列方式;

选择单元,用于选择所述分裂导线中使用在表面场强最大的子导线和与之对称的子导线做为更大截面的子导线;所述子导线中部分子导线为更大截面的子导线,所述更大截面的子导线的排列方式为对称分布;

预设单元,用于预设所述更大截面的子导线的基础半径,并逐步增加所述基础半径,获取多个更大截面的子导线的半径;所述更大截面的子导线的半径与非更大截面的子导线的半径比不超过1.1;

建立单元,用于根据所述多个更大截面的子导线的半径,建立对应的双极导线模拟线路的物理模型;

第一计算单元,用于根据所述物理模型,计算所述分裂导线中子导线最大表面场强的最大值和最小值;计算每根子导线的最大表面场强的方法包括:逐次镜像法、有限元法、模拟电荷法、近似公式法;

第二计算单元,用于计算所述分裂导线中子导线最大表面场强的最大值与最小值的比值,所述比值最小时对应的所述更大截面的子导线的半径,做为所述子导线中配置的更大截面的子导线的半径更大截面更大截面。

5.根据权利要求4的系统,所述排列单元还用于,当所述分裂导线中的子导线的根数为8时,将所述子导线中正极表面场强最大的子导线和与之对称的子导线、负极表面场强最大的子导线和与之对称的子导线做为更大截面的子导线。

6.根据权利要求4的系统,所述预设单元还用于,当所述分裂导线中的子导线的根数为8时,所述更大截面的子导线的半径为非更大截面的子导线半径的1.02倍。

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