[发明专利]一种反应离子刻蚀方法和设备

权利要求书

1.一种反应离子刻蚀方法，其特征在于，包括：

将待刻蚀基片放入反应离子刻蚀腔室内；

向反应离子刻蚀腔室内通入反应气体；

利用脉冲激光诱导反应气体，产生等离子体；

筛选出沿激光传播方向膨胀的等离子体；

调整等离子体的运动方向，使等离子的运动方向一致且使等离子的运动方向垂直于待刻蚀基片表面方向，所述调整等离子体的运动方向，具体为：准直等离子体的运动方向，使等离子体的运动方向一致；

利用等离子体对待刻蚀基片进行反应离子刻蚀。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述调整等离子体的运动方向后，对待刻蚀基片进行反应离子刻蚀之前，还包括：

调整等离子体的出射面积，以使等离子体的出射面积与待刻蚀基片的刻蚀表面面积相适应。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，当待刻蚀基片的刻蚀区域表面积大于等离子体的出射面积时，所述方法还包括：

步进式移动待刻蚀基片，使待刻蚀基片的待刻蚀表面逐步被等离子体刻蚀。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述反应气体含有CF₄、CH₂F₂、C₄F₆、C₄F₈、NH₃、SF₆、Cl₂和O₂中的一种或多种气体。

5.一种反应离子刻蚀设备，其特征在于，包括：

脉冲激光源、聚焦透镜、反应气体喷嘴和等离子体运动方向调整部件；

其中，脉冲激光源用于产生脉冲激光；

聚焦透镜用于使由脉冲激光源产生的脉冲激光聚焦到反应气体喷嘴喷出的反应气体上；

等离子体运动方向调整部件用于调整等离子体运动方向，使等离子体运动方向一致且使等离子的运动方向垂直于待刻蚀基片表面方向；

所述等离子体运动方向调整部件包括：离子偏转磁透镜，用于准直等离子体的运动方向，使等离子体的运动方向一致；

还包括第一离子栅栏，所述第一离子栅栏用于在离子偏转磁透镜准直等离子体的运动方向之前，筛选出沿激光传播方向膨胀的等离子体。

6.根据权利要求5所述的反应离子刻蚀设备，其特征在于，所述脉冲激光源、聚焦透镜、反应气体喷嘴和等离子体运动方向调整部件的轴线重叠。

7.根据权利要求5或6所述的反应离子刻蚀设备，其特征在于，所述反应离子刻蚀设备还包括：第二离子栅栏，用于调整运动方向准直后的等离子体的出射面积。

8.根据权利要求5或6所述的反应离子刻蚀设备，其特征在于，所述反应离子刻蚀设备还包括：控制待刻蚀基片步进式移动的部件。