[发明专利]一种制作薄膜电路金锡合金焊盘的方法有效
申请号: | 201711061588.1 | 申请日: | 2017-11-02 |
公开(公告)号: | CN107768257B | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 李彦睿;王春富;秦跃利;王春晖 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L21/60 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 钱成岑 |
地址: | 610036 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 制作 薄膜 电路 合金 方法 | ||
1.一种制作薄膜电路金锡合金焊盘的方法,其特征在于,包括:
步骤1,采用交替式镀膜工艺制作三明治式结构的预制金锡焊盘:在依次溅射过渡层(1-2)、金属种子层(1-3)的金属化陶瓷基片(1-1)表面采用电镀方式沉积Au膜层作为焊盘底层(1-4),焊盘底层(1-4)是由局部加厚金属种子层(1-3)上的焊盘区域(A-A’)形成;然后先用溅射方式依次在金属种子层(1-3)和焊盘底层(1-4)的表面整体沉积与金属种子层区域(B-B’)等面积的Sn膜层和Au膜层,Sn膜层作为焊盘中间层(1-5),Au膜层作为焊盘顶层(1-6);再根据焊盘区域(A-A’)的形状腐蚀去除Sn膜层和Au膜层上除焊盘区域(A-A’)外的部分;
步骤2,制作焊盘的阻焊结构:在预制焊盘合金化之前,腐蚀去除金属种子层(1-3)在焊盘区域(A-A’)周围的部分,保留基片(1-1)表面过渡层(1-2)作为电路连接,形成阻焊结构;
步骤3,预制焊盘合金化:将预制了金锡焊盘的金属化陶瓷基片(1-1)置入真空环境下加热至设定温度,使预制金锡焊盘进行合金化,形成金锡合金焊盘。
2.根据权利要求1所述的一种制作薄膜电路金锡合金焊盘的方法,其特征在于,所述溅射形成的过渡层(1-2)是材质为TiW或Pt的膜层,所述溅射形成的金属种子层(1-3)为Au膜层。
3.根据权利要求1所述的一种制作薄膜电路金锡合金焊盘的方法,其特征在于,所述金属种子层(1-3)上包含刻蚀有电路图形的部分,所述焊盘区域(A-A’)位于金属种子层(1-3)没有刻蚀电路图形的部分上。
4.根据权利要求1所述的一种制作薄膜电路金锡合金焊盘的方法,其特征在于,所述Sn膜层和Au膜层的膜厚根据实际的金锡合金化比例进行溅射。
5.根据权利要求1所述的一种制作薄膜电路金锡合金焊盘的方法,其特征在于,所述溅射方式是指溅射法和/或溅射法等效的干法镀膜工艺。
6.根据权利要求1所述的一种制作薄膜电路金锡合金焊盘的方法,其特征在于,步骤2中,所述金属种子层(1-3)在焊盘区域(A-A’)周围的部分,是指不包含刻蚀有电路图形的部分。
7.根据权利要求1所述的一种制作薄膜电路金锡合金焊盘的方法,其特征在于,步骤2中,所述腐蚀的方位由焊盘区域(A-A’)的形状确定,腐蚀的宽度不影响电路的电性能。
8.根据权利要求1所述的一种制作薄膜电路金锡合金焊盘的方法,其特征在于,步骤3中,所述设定温度大于金锡合金的熔点温度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造