[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一半导体区域，其具有第一导电类型；

至少一个第二半导体区域，设置在所述第一半导体区域上，并且所述第二半导体区域的表面与所述第一半导体区域的表面齐平，所述第二半导体区域具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；其中，

所述第二半导体区域的所述表面内形成有至少一个凹陷区域，所述凹陷区域为具有所述第一导电类型的半导体材料。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

第一电极，设置在所述第二半导体区域的所述表面上，所述第一电极在所述凹陷区域的远离所述第二半导体区域与所述第一半导体区域相接触的一侧，与所述第二半导体区域接触；

第二电极，设置在所述第一半导体区域的另一表面上。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电极不与所述凹陷区域的表面接触。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

第一绝缘层，设置在所述第一半导体区域和所述第二半导体区域的所述表面上；

掺杂多晶硅层，设置在所述第一绝缘层上；

第二绝缘层，设置在所述掺杂多晶硅层上，所述第二绝缘层上设置有开口，所述第一电极通过所述开口与所述第二半导体区域上方的所述掺杂多晶硅层接触。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

至少一个第三半导体区域，设置在所述第一半导体区域上，并且所述第三半导体区域的表面与所述第一半导体区域的所述表面齐平，所述第三半导体区域具有第二导电类型。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

接触电极，设置在所述第二绝缘层上，所述接触电极通过贯通所述第一绝缘层、所述掺杂多晶硅层和所述第二绝缘层的开口与所述第三半导体区域接触。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

至少一个第四半导体区域，设置在所述第一半导体区域上，并且所述第四半导体区域的表面与所述第一半导体区域的所述表面齐平，所述第四半导体区域具有第一导电类型，并且所述掺杂多晶硅层通过所述第一绝缘层上的开口与所述第四半导体区域接触。

8.根据权利要求1至7任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件是功率半导体器件。

9.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供具有第一导电类型的第一半导体区域；

在所述第一半导体区域上形成至少一个第二半导体区域，所述第二半导体区域的表面与所述第一半导体区域的表面齐平，并且所述第二半导体区域具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；

在所述第二半导体区域的所述表面内形成至少一个凹陷区域，所述凹陷区域为所述第一导电类型的半导体材料。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述第二半导体区域的所述表面上设置第一电极，所述第一电极在所述凹陷区域的远离所述第二半导体区域与所述第一半导体区域相接触的一侧，与所述第二半导体区域接触；

在所述第一半导体区域的另一表面上设置第二电极。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述在所述第二半导体区域的所述表面上设置第一电极的步骤包括：

在所述第一半导体区域和所述第二半导体区域的所述表面上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成开口，所述开口不露出所述凹陷区域的表面；

在所述开口处设置所述第一电极。