[发明专利]半导体封装件及其制造方法

说明书

本申请公开了一种半导体封装件及其制造方法，该半导体封装件包括：芯片组，包括堆叠设置的多个单体芯片，单体芯片之间通过多个导通孔互连，芯片组具有暴露于侧边的孔切割垫，所述孔切割垫是由芯片组的一外侧导通孔通过轴向垂直切割形成的；侧接芯片，垂直接合于芯片组的侧边，所述侧接芯片包括在所述侧接芯片的有源面上的多个连接件，连接件的端部键合于芯片组的孔切割垫，以实现芯片组与侧接芯片的电连接。本申请中侧接芯片通过在导通孔轴向垂直方向形成的孔切割垫直接与芯片组电连接，相比于现有技术中基底芯片与堆叠芯片组的最底层单体芯片通过硅通孔互连的方式，本申请方案的侧接芯片与芯片组的互连路径缩短，信号完整性更好。

技术领域

本申请涉及半导体封装领域，具体地，涉及一种半导体封装件及其制造方法。

背景技术

硅通孔(Through Silicon Via,TSV)互连技术广泛应用于半导体封装领域，是3D集成电路中堆叠芯片实现互联的一种技术解决方案。TSV技术是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的技术。对于现有技术中的一种3D封装硅通孔互连技术，在3D封装件中，基底芯片与堆叠芯片组的最底层单体芯片的连接通过TSV互连(如图4和图5中箭头所示)。从图4和图5中可以看出，基底芯片与堆叠芯片组的最底层单体芯片的互连路径较长，这会一定程度上影响信号的完整性。

发明内容

本申请的目的是提供一种能够缩短互连路径的半导体封装件及其制造方法。

为了实现上述目的，在本申请的第一方面，提供一种半导体封装件，芯片组，包括堆叠设置的多个单体芯片，所述单体芯片之间通过多个导通孔互连，所述芯片组具有暴露于侧边的孔切割垫，所述孔切割垫是由所述芯片组的一外侧导通孔通过轴向垂直切割形成的；侧接芯片，垂直接合于所述芯片组的侧边，所述侧接芯片包括在所述侧接芯片的有源面上的多个连接件，所述连接件的端部键合于所述芯片组的孔切割垫，以实现所述芯片组与所述侧接芯片的电连接。

可选地，所述半导体封装件还包括重布线层，形成于所述芯片组上，所述重布线层透过所述侧接芯片的所述连接件及所述侧接芯片的内部电路以与所述孔切割垫电连接。

可选地，所述半导体封装件还包括多个焊球，设置于所述重布线层的多个焊盘上。

可选地，所述重布线层直接形成于所述芯片组的最上层单体芯片的有源面上。

可选地，所述单体芯片之间为无黏胶贴合，所述孔切割垫的个别长度小于所述单体芯片的厚度定义。

可选地，所述孔切割垫的填充材料为铜。

可选地，所述侧接芯片包括物理层和控制层芯片的集成，所述单体芯片包括动态随机储存器芯片。

可选地，所述位于同一垂直排的所述连接件利用所述侧接芯片的内部电路互相电连接。

在本申请的第二方面，提供一种用于制造半导体封装件的方法，该方法包括：通过晶圆级芯片封装方式制成芯片组，该芯片组包括堆叠设置的多个单体芯片，所述单体芯片之间通过多个导通孔互连；沿所述芯片组的一外侧导通孔轴向垂直切割，形成暴露于侧边的孔切割垫；在侧接芯片的有源面上设置多个连接件，以形成所述侧接芯片；以及将所述侧接芯片的所述连接件的端部键合至所述芯片组的所述孔切割垫，以实现所述芯片组与所述侧接芯片的电连接。

可选地，该方法还包括在所述芯片组上形成重布线层，将所述重布线层透过所述侧接芯片的所述连接件及所述侧接芯片的内部电路与所述孔切割垫电连接。

可选地，该方法还包括在所述重布线层的多个焊盘上设置多个焊球。

可选地，所述重布线层直接形成于所述芯片组的最上层单体芯片的有源面上。

可选地，所述单体芯片之间为无黏胶贴合，所述孔切割垫的个别长度小于所述单体芯片的厚度定义。