[发明专利]静电夹盘及其制造方法

权利要求书

1.一种静电夹盘，所述静电夹盘包含：

导热基座；

数个加热元件，所述数个加热元件在所述导热基座中，其中所述数个加热元件包含数个主要加热元件及数个辅助加热元件，其中所述数个辅助加热元件的功率低于所述数个主要加热元件；

金属层，所述金属层覆盖所述导热基座的至少一部分；以及

抗等离子体介电层，所述抗等离子体介电层覆盖所述金属层。

2.如权利要求1所述的静电夹盘，其中所述数个辅助加热元件比所述数个主要加热元件更靠近所述导热基座的上表面。

3.如权利要求1所述的静电夹盘，其中所述抗等离子体介电层选自由Y₂O₃、Y₄Al₂O₉、Y₃Al₅O₁₂、YAlO₃、Y₂O₃稳定的ZrO₂、Y₂O₃-ZrO₂固溶体、以及包含Y₄Al₂O₉及Y₂O₃-ZrO₂的固溶体的陶瓷化合物组成的群组。

4.如权利要求3所述的静电夹盘，其中所述抗等离子体介电层掺杂有ZrO₂、Al₂O₃、SiO₂、B₂O₃、Er₂O₃、Nd₂O₃、Nb₂O₅、CeO₂、Sm₂O₃以及Yb₂O₃中的一或更多者。

5.如权利要求1所述的静电夹盘，其中所述金属层使所述数个加热元件免受射频耦合，且所述金属层用作所述静电夹盘的电极。

6.如权利要求1所述的静电夹盘，其中所述数个辅助加热元件被安置在形成于所述导热基座的上表面中的数个凹槽中，且被包裹在介电材料中，所述介电材料填充所述数个凹槽。

7.如权利要求6所述的静电夹盘，其中所述介电材料选自由Al₂O₃、AlN、TiO、SiC、Y₂O₃以及MgO组成的群组。

8.如权利要求6所述的静电夹盘，其中所述金属层覆盖所述介电材料。

9.如权利要求1所述的静电夹盘，其中所述金属层覆盖所述导热基座的上表面。

10.如权利要求9所述的静电夹盘，其中所述金属层进一步覆盖所述导热基座的侧壁。

11.如权利要求1所述的静电夹盘，其中所述金属层用作夹持电极及射频电极两者。

12.如权利要求1所述的静电夹盘，其中所述金属层具有20-50密耳的厚度。

13.如权利要求1所述的静电夹盘，其中所述抗等离子体介电层具有10-20密耳的厚度。

14.如权利要求1所述的静电夹盘，其中所述抗等离子体介电层具有150微米至1毫米的厚度。

15.如权利要求1所述的静电夹盘，其中在处理期间，所述数个加热元件使所述静电夹盘维持所支撑基板上小于0.5摄氏度的温度变化。

16.如权利要求1所述的静电夹盘，其中所述辅助加热元件选自由钼、铝、钨、以及它们的组合组成的群组。

17.如权利要求1所述的静电夹盘，其中所述导热基座包含金属。