[发明专利]一种香菇的种植方法在审
申请号: | 201711063871.8 | 申请日: | 2017-11-02 |
公开(公告)号: | CN107950287A | 公开(公告)日: | 2018-04-24 |
发明(设计)人: | 莫玉艳 | 申请(专利权)人: | 莫玉艳 |
主分类号: | A01G18/00 | 分类号: | A01G18/00;A01G18/20;C05G3/00 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人: | 杨立,周玉婷 |
地址: | 541001 广西壮*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 香菇 种植 方法 | ||
技术领域
本发明涉及蔬菜种植技术领域,尤其涉及一种香菇的种植方法。
背景技术
香菇的人工栽培在我国已有800多年的历史,其香味浓郁,营养丰富,含有18种氨基酸,深受广大人民群众的喜爱。现有香菇的栽培方法主要采用塑料袋栽培法,为片面提高产量,往往添加化肥和生长调节剂等化学物质,影响了香菇的品质。因此,需要开发出一种能提高香菇产量,还能保证香菇品质的方法。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种香菇的种植方法,能提高香菇的产量,减少香菇生长过程中的病害。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种香菇的种植方法,包括以下步骤:
步骤一,配料,包括下列重量份数的原料制备香菇栽培培养基:马铃薯粉80-90份、葡萄糖6-10份、石膏粉1-2份、麦麸12-24份、米糠9-15份、硬质木屑15-25份、腐殖土20-30份、多菌灵0.02-0.04份、绿茶汤2-8份,控制基质的含水量为55-65%,控制基质的pH值为5.6-5.8、氨基酸2-3份、尿素6-10份;
步骤二,装袋,在无菌环境下将上述培养基混合均匀后,在6-8小时内装入聚丙烯塑料袋中,即得菌袋,每袋重1.5-2公斤;
步骤三,高温灭菌,将装袋后的香菇栽培培养基进行高温高压灭菌,灭菌条件为100-120℃,0.15-0.20MPa,灭菌时间2.0-3.0小时;在1.5-2.5 小时内,冷却至24-30℃;
步骤四,接种,将灭好菌的菌袋转入已消毒的接种室中接种,接种完毕后控制培养温度为23-25℃,进行罩膜发菌;
步骤五,香菇培养,控制温度为10-20℃,湿度为50-80%,在生长期光照强度为1600-2000LX,在培养过程中,每早晚通风一次,每次5-8分钟。
本发明的有益效果是:通过各特定的各组份制成的培养基,采用的原料无污染、营养丰富,在培育过程中不使用化肥、农药、消毒剂等化学制剂,从而解决了化学制剂对人体带来的伤害,在保证人群健康的前提下又解决了环境污染的问题,能有效提高香菇的产量。
在上述技术方案的基础上,本发明还可以做如下改进。
进一步,所述步骤一中,所述培养基还包括紫茎泽兰10-30份、炉甘石 1-3份、石英砂0.1-1份和复合微量元素肥0.1-1份。
采用上述进一步方案的有益效果是:为香菇的生长提供营养物质,促进香菇的生长。
进一步,所述步骤一中,所述培养基还包括包含0.1-1重量份发酵核桃壳、0.1-1重量份硫酸镁和0.1-1重量份花生壳发酵液。
采用上述进一步方案的有益效果是:为香菇的生长提供营养物质,促进香菇的生长。
进一步,所述步骤四中,所述接种室在接种前半个月清扫后,用甲醛喷雾消毒,以后每隔5天采用气雾消毒剂熏蒸消毒。
采用上述进一步方案的有益效果是:通过甲醛进行消毒,能充分对接种室进行消毒。
进一步,所述步骤四中,接种量为装袋后的香菇栽培培养基重量的1-3%。
采用上述进一步方案的有益效果是:能在保证香菇生长的前提下,避免培养基营养的不足。
具体实施方式
以下对本发明的原理和特征进行描述,所举实例只用于解释本发明,并非用于限定本发明的范围。
本发明公开一种香菇的种植方法,包括以下步骤:
步骤一,配料,包括下列重量份数的原料制备香菇栽培培养基:马铃薯粉80-90份、葡萄糖6-10份、石膏粉1-2份、麦麸12-24份、米糠9-15份、硬质木屑15-25份、腐殖土20-30份、多菌灵0.02-0.04份、绿茶汤2-8份,控制基质的含水量为55-65%,控制基质的pH值为5.6-5.8、氨基酸2-3份、尿素6-10份,所述培养基还包括紫茎泽兰10-30份、炉甘石1-3份、石英砂0.1-1份和复合微量元素肥0.1-1份,所述培养基还包括包含0.1-1重量份发酵核桃壳、0.1-1重量份硫酸镁和0.1-1重量份花生壳发酵液;
步骤二,装袋,在无菌环境下将上述培养基混合均匀后,在6-8小时内装入聚丙烯塑料袋中,即得菌袋,每袋重1.5-2公斤;
步骤三,高温灭菌,将装袋后的香菇栽培培养基进行高温高压灭菌,灭菌条件为100-120℃,0.15-0.20MPa,灭菌时间2.0-3.0小时;在1.5-2.5 小时内,冷却至24-30℃;
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