[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包括：

多个第一栅极带，其中该些第一栅极带的多个端表面以一实质上直线对齐；

多个第二栅极带，其中该些第一栅极带的一第一栅极带的该端表面与该些第二栅极带的一第二栅极带的一端表面彼此相对；

一至少一第一导线，在该第一栅极带和该第二栅极带上方并且跨该第一栅极带的该端表面和该第二栅极带的该端表面；

一至少一第一导电通孔，连接该至少一第一导线与该第一栅极带；以及

多个第二导电通孔，位于各该第二栅极带上且沿着一列排列，其中该些第二导电通孔其中之一连接该第二栅极带与该至少一第一导线。

2.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该至少一第一导线的一长度方向实质上平行于该第一栅极带的一长度方向。

3.根据权利要求2所述的半导体元件，其特征在于，该至少一第一导线的一长度方向实质上平行于该至少一第二栅极带的一长度方向。

4.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包括：

一至少一第二导线，该至少一第二导线在该至少一第一导线上方，该至少一第二导线和该至少一第一导线交叉。

5.根据权利要求4所述的半导体元件，其特征在于，还包括：

一至少一第三导电通孔，连接该至少一第一导线与该至少一第二导线。

6.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该些第二栅极带的该些端表面以一实质上直线对齐。

7.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该些第一导电通孔是直线排列。

8.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，该第一导线叠加在该第一栅极带上方。

9.根据权利要求8所述的半导体元件，其特征在于，该第一导线叠加在该至少一第二栅极带上方。

10.根据权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包括：

一主动区，包括多个源极/漏极区；以及

多个导电带，各与各别的该些源极/漏极区的其中之一相交，其中该些导电带具有以一实质上直线对齐的端表面。

11.一种半导体元件，其特征在于，包括：

一至少一主动区，包括一源极区和一漏极区；

多个导电带，各与各别的该至少一主动区的该源极区和该漏极区的其中之一相交，其中该些导电带具有以一实质上直线对齐的端表面；

一至少一第一导线，在该至少一导电带上方并且实质上沿该些导电带的一第一导电带的一长度方向延伸；

一至少一第一导电通孔，连接该至少一第一导线与该第一导电带；

多个第一栅极带，其中该些第一栅极带的多个端表面以一实质上直线对齐；

一至少一第二栅极带，其中该些第一栅极带的一第一栅极带的该端表面与该至少一第二栅极带的一端表面彼此相对；

一至少一第二导线，在该第一栅极带和该至少一第二栅极带上方并且跨该第一栅极带的该端表面和该至少一第二栅极带的该端表面；以及

一至少一第二导电通孔，连接该至少一第二导线与该第一栅极带。

12.根据权利要求11所述的半导体元件，其特征在于，多个该第一导电通孔是沿一直线排列。

13.根据权利要求11所述的半导体元件，其特征在于，还包括：

一至少一第三导线，在该至少一第一导线上方，该至少一第三导线和该至少一第一导线交叉。

14.根据权利要求13所述的半导体元件，其特征在于，还包括：

一至少一第三导电通孔，连接该至少一第一导线与该至少一第三导线。